您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MTD3055VLT4G

MTD3055VLT4G 发布时间 时间:2025/6/5 21:54:57 查看 阅读:8

MTD3055VLT4G是一款高性能的MOSFET功率晶体管,属于N沟道增强型场效应晶体管。它具有较低的导通电阻和快速开关特性,非常适合应用于需要高效能、高可靠性的场景中。该型号主要应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等领域。
  这款器件采用了先进的制造工艺,能够提供卓越的电气性能和热性能。此外,其封装形式为TO-220,具有良好的散热特性和机械稳定性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:55A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷:71nC
  总功耗:180W
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

1. 极低的导通电阻,可有效减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,适合现代电源设计需求。
  3. 高电流承载能力,能够在严苛条件下稳定运行。
  4. 提供过温保护功能,增强系统的安全性和可靠性。
  5. 兼容多种应用环境,包括汽车电子、工业控制和消费类电子产品。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. DC-DC转换器的核心功率器件。
  3. 负载开关,用于实现高效的电路切换。
  4. 电机驱动电路,提供精确的电流控制。
  5. 电池管理系统中的保护和控制单元。
  6. 各种工业自动化设备中的功率调节模块。

替代型号

IRF3205
  FDP55N06L
  STP55NF06L

MTD3055VLT4G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价