MTD3055VLG 时间：2025/6/21 10:51:01 阅读：5

MTD3055VLG 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 Trench 技术制造，适用于高频开关和低导通电阻应用。该器件具有出色的开关特性和较低的导通电阻 (Rds(on))，能够在高电流条件下实现高效的功率转换。其封装形式为 TO-263 (D2PAK)，适合表面贴装工艺，广泛应用于电源管理、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。
　　MTD3055VLG 的设计优化了热性能和电气性能，使其成为需要高效能和高可靠性的应用的理想选择。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大漏极电流：58A
　　导通电阻（典型值）：4.5mΩ
　　栅极电荷（典型值）：10nC
　　总电容（输入电容）：940pF
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：TO-263 (D2PAK)
　　功耗：27W

特性

MTD3055VLG 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻 Rds(on)（典型值为 4.5mΩ），降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　2. 快速开关特性，支持高频应用。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
　　4. 内置 ESD 保护功能，提升了抗静电能力。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保无铅。
　　6. 表面贴装封装形式，简化了 PCB 设计和生产流程。
　　7. 支持大电流操作，满足高性能需求。

应用

MTD3055VLG 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流和功率因数校正 (PFC)。
　　2. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流开关。
　　3. 电机驱动中的 H 桥和半桥配置。
　　4. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
　　5. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
　　6. LED 照明驱动电路中的功率开关。
　　7. 汽车电子中的各种功率转换和驱动应用。