类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：550V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：21A（Tc=25℃）
　　功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　导通电阻(Rds(on))：0.18Ω（典型值）
　　栅极电荷(Qg)：68nC
　　漏极-源极击穿电压：550V
　　封装类型：TO-247

IXTH21N55具有多个关键性能优势。首先，其550V的漏源电压额定值使其适用于中高压应用，如离线电源和电机驱动。其次，较低的导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的热性能，能在高负载条件下保持稳定运行。
　　该MOSFET采用了先进的平面技术，具备高雪崩能量承受能力和优异的短路稳定性，增强了系统的可靠性。栅极电荷较低，使得开关速度更快，从而减少开关损耗，适合高频开关应用。TO-247封装提供了良好的散热性能，便于安装在散热器上，以提高散热效率。
　　该器件还具有较高的抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中稳定工作。同时，其宽泛的工作温度范围（-55℃至+150℃）确保了在极端环境下的可靠运行，适用于工业控制、电源供应器、电动车系统等多种场景。

IXTH21N55常用于各种功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机控制器和UPS（不间断电源）。在工业自动化系统中，该MOSFET可用于驱动高功率负载，如加热元件、电磁阀和电机。在新能源领域，例如太阳能逆变器和电动车充电系统中，该器件也能够发挥高效能开关作用。
　　由于其高耐压和低导通电阻特性，该MOSFET也适用于高频率开关电路，如谐振变换器和软开关拓扑结构。此外，它还可用于电池管理系统（BMS）和储能系统中的功率控制部分。在消费类电子产品中，如高功率LED照明和家用电器，IXTH21N55也可作为关键的功率控制元件。

IRF540N, FQA24N50, STP20N55