MTD2525J 时间：2025/8/25 5:57:40 阅读：22

MTD2525J 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于各种电源管理和功率转换应用中。该器件采用先进的平面技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)）和较高的电流处理能力，适用于需要高效率和高性能的电路设计。MTD2525J 采用 TO-252 封装（也称为 DPAK），具有良好的热管理和小尺寸，适合用于空间受限的设计。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：8.0A（最大值）
　　导通电阻 RDS(on)：0.085Ω（最大值，VGS = 10V）
　　功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

MTD2525J 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻和高电流承载能力。其 RDS(on) 最大值为 0.085Ω，在 VGS = 10V 的条件下，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的漏极电流最大可达 8A，适用于多种中等功率的应用场景。MTD2525J 具有高达 60V 的漏源电压，使其适用于多种电源管理电路，包括 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制。
　　该 MOSFET 采用 TO-252 封装，具有良好的热性能，能够在较高功率条件下保持稳定运行。其封装尺寸较小，适合用于空间受限的 PCB 设计。此外，MTD2525J 的栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 或 12V 驱动，兼容多种常见的驱动电路设计。
　　MTD2525J 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，表现出良好的热稳定性，适用于工业级和汽车电子等严苛环境的应用。其封装内部的引脚设计优化了热传导路径，有助于提高器件的长期可靠性。

应用

MTD2525J 常用于电源管理系统、DC-DC 转换器、同步整流电路、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制和电源管理模块等应用场景。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件非常适合用于需要高效率和紧凑设计的电源转换电路中。此外，MTD2525J 也适用于消费类电子产品、工业自动化设备和汽车电子系统中的功率控制模块。