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MTD2525J 发布时间 时间:2025/8/25 5:57:40 查看 阅读:13

MTD2525J 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛用于各种电源管理和功率转换应用中。该器件采用先进的平面技术,提供较低的导通电阻(RDS(on))和较高的电流处理能力,适用于需要高效率和高性能的电路设计。MTD2525J 采用 TO-252 封装(也称为 DPAK),具有良好的热管理和小尺寸,适合用于空间受限的设计。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压(VDS):60V
  栅源电压(VGS):±20V
  漏极电流(ID):8.0A(最大值)
  导通电阻 RDS(on):0.085Ω(最大值,VGS = 10V)
  功耗(PD):50W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装:TO-252(DPAK)

特性

MTD2525J 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具有低导通电阻和高电流承载能力。其 RDS(on) 最大值为 0.085Ω,在 VGS = 10V 的条件下,能够显著降低导通损耗,提高系统效率。该器件的漏极电流最大可达 8A,适用于多种中等功率的应用场景。MTD2525J 具有高达 60V 的漏源电压,使其适用于多种电源管理电路,包括 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制。
  该 MOSFET 采用 TO-252 封装,具有良好的热性能,能够在较高功率条件下保持稳定运行。其封装尺寸较小,适合用于空间受限的 PCB 设计。此外,MTD2525J 的栅极驱动电压范围较宽,支持 10V 或 12V 驱动,兼容多种常见的驱动电路设计。
  MTD2525J 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C,表现出良好的热稳定性,适用于工业级和汽车电子等严苛环境的应用。其封装内部的引脚设计优化了热传导路径,有助于提高器件的长期可靠性。

应用

MTD2525J 常用于电源管理系统、DC-DC 转换器、同步整流电路、负载开关、电池管理系统(BMS)、电机控制和电源管理模块等应用场景。由于其低导通电阻和高电流能力,该器件非常适合用于需要高效率和紧凑设计的电源转换电路中。此外,MTD2525J 也适用于消费类电子产品、工业自动化设备和汽车电子系统中的功率控制模块。

替代型号

IRFZ44N, FDP6N50, FQP8N60, STP8NK60Z

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