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MTD20P06HDLT4G 发布时间 时间:2025/7/11 20:09:01 查看 阅读:19

MTD20P06HDLT4G 是一款由 Microchip 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺设计,具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,适用于多种电源管理应用。它主要应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等领域。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:20A
  导通电阻(典型值):8.5mΩ
  栅极电荷:17nC
  输入电容:900pF
  开关速度:快速
  封装形式:TO-263 (D2PAK)

特性

MTD20P06HDLT4G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 高额定电流能力,使其能够在大功率应用场景中保持稳定工作。
  3. 快速开关特性,适合高频开关电源应用。
  4. 提供良好的热性能,确保在高温环境下也能正常运行。
  5. 内置反向恢复二极管,减少开关过程中的振荡问题。
  6. 封装为 TO-263,具有良好的散热性能和机械稳定性。

应用

MTD20P06HDLT4G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动电路,用于控制直流无刷电机或步进电机。
  3. 负载开关,实现对负载的快速开启和关闭。
  4. 电池保护电路,防止过流、短路等异常情况。
  5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  6. 汽车电子系统中的功率管理单元。

替代型号

MTD20N06L, IRFZ44N, FDP220AN

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