类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：10A（在VGS=10V时）
　　导通电阻（RDS(on)）：23mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V（在ID=250μA时）
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

MTD2038G采用了先进的Trench MOSFET技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少导通损耗，提高系统效率。其23mΩ的典型RDS(on)值在VGS=10V时表现出色，适用于需要高效能功率转换的应用。该器件的栅极阈值电压较低，范围在1.0V至2.5V之间，使得其易于与多种控制电路配合使用，尤其适合低电压控制应用。MTD2038G具有较高的电流承载能力，在10A的额定漏极电流下仍能保持稳定的工作状态，确保在高负载条件下的可靠运行。
　　此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和热阻性能，其TO-252（DPAK）封装设计提供了有效的散热路径，能够在高功率应用中保持良好的散热效果。MTD2038G的工作温度范围为-55°C至+175°C，适用于各种严苛环境下的工业和汽车电子应用。该器件还具备良好的抗雪崩能力和过载保护能力，增强了在高应力条件下的稳定性。
　　由于其低导通电阻、高电流能力和优异的热性能，MTD2038G在电源管理、电机驱动、负载开关以及便携式电子设备中有着广泛的应用。该器件的设计兼顾了高性能与可靠性，是许多中功率应用的理想选择。

MTD2038G主要应用于各种功率电子系统中，包括但不限于以下领域：
　　? DC-DC转换器：用于笔记本电脑、服务器、工业电源等设备中的高效降压或升压转换电路。
　　? 负载开关：用于智能电源管理、移动设备、电池供电系统中的电源控制。
　　? 电机控制：用于小型电机驱动电路，如无人机、机器人、电动工具等应用。
　　? 电池管理系统：用于电池充放电控制、电池保护电路等。
　　? 汽车电子：用于车载电源系统、LED照明驱动、车载充电器等。
　　? 工业自动化：用于PLC、传感器、继电器驱动等工业控制设备。

MTD2038G的替代型号包括NTMFD5C451NLT1G、FDS6680、IRLML6401、FDMS86181、SiSS56DN