时间：2025/12/29 13:10:00
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MTD2007F 是一款由Microsemi（现为L3Harris Technologies的一部分）生产的双极型晶体管（BJT）阵列器件，广泛应用于高频、高功率的电子电路中。该器件内部集成了多个晶体管单元，通常用于功率放大器、射频（RF）放大器、开关电路等场景。MTD2007F 具有良好的热稳定性和较高的可靠性，适用于军事、航空航天以及工业级应用。
晶体管类型：NPN 双极型晶体管阵列
最大集电极-发射极电压（Vce）：80V
最大集电极电流（Ic）：2.5A
最大功耗（Ptot）：25W
增益带宽积（fT）：100MHz
电流增益（hFE）：50-300（根据工作电流不同）
封装形式：TO-220AB
MTD2007F 采用了先进的双极型工艺制造，具有优异的高频响应和热稳定性。其内部集成了多个并联的晶体管单元，可以提供较高的输出功率和电流能力。该器件具有较低的饱和压降（Vce_sat），有助于降低功耗并提高效率。此外，MTD2007F 还具备良好的抗静电能力和高可靠性，适合在恶劣环境下工作。
该器件的引脚排列设计便于散热管理，适合使用在高功率密度的应用中。同时，其TO-220AB封装形式便于安装在散热片上，从而有效提升散热性能。MTD2007F 的设计符合JEDEC标准，确保了与现有电路设计的兼容性。
由于其高可靠性和稳定性，MTD2007F 常被用于军事通信设备、雷达系统、测试仪器以及高要求的工业控制系统中。
MTD2007F 主要应用于需要高功率和高频性能的电子系统中。典型应用包括射频功率放大器、音频放大器输出级、电源开关电路、电机驱动器、工业控制模块以及航空航天电子设备。此外，由于其良好的热性能和可靠性，该器件也常用于需要长时间连续运行的工业设备和通信基础设施中。
MTD2007FG、MTD2007FSL、2N6035、BD135、BD139
