类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流 (ID)：30 A
　　漏源电压 (VDS)：100 V
　　栅源电压 (VGS)：±20 V
　　导通电阻 (RDS(on))：约 0.035 Ω（典型值）
　　功耗 (Ptot)：125 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220 或 I2PAK

MTD030N10QJ3 功率 MOSFET 具备多项优良特性，首先是其低导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高整体效率。其次，该器件的高电流处理能力（ID 为 30 A）使其适用于各种高功率需求的电路设计，如电源转换器、DC-DC 转换器和电机控制电路。
　　此外，MTD030N10QJ3 的最大漏源电压为 100 V，适用于中高电压应用。栅源电压范围为 ±20 V，具有较高的栅极驱动兼容性，能够适应多种驱动电路设计。该器件的封装形式（如 TO-220 或 I2PAK）有助于良好的散热性能，确保在高功率工作条件下仍能保持稳定运行。
　　MTD030N10QJ3 的热阻较低，确保在高负载条件下依然具备良好的热稳定性，延长器件使用寿命。同时，其高可靠性设计使其能够在极端温度环境下正常运行，适用范围广泛。这些特性使得 MTD030N10QJ3 成为许多功率电子系统中理想的开关元件。

MTD030N10QJ3 主要用于各类功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机控制电路、逆变器和负载开关等应用。其高电流和高电压能力使其适用于电动车、工业自动化、通信电源、UPS（不间断电源）系统以及各种高功率嵌入式系统。
　　在电动车领域，该 MOSFET 可用于电机驱动器、充电电路和能量管理系统。在工业自动化中，它可用于控制各种高功率设备，如伺服电机、变频器和工业电源模块。在通信电源和 UPS 系统中，MTD030N10QJ3 的高效能特性有助于提升系统整体能效，降低能耗。
　　此外，该器件还可用于消费类电子产品中的高功率负载管理，例如高端计算机电源、游戏主机电源以及智能家电的功率调节模块。由于其良好的热管理和高可靠性，MTD030N10QJ3 在各种恶劣环境下也能保持稳定运行，适合多种应用场景。

STD030N10QJ3, FDP030N10QJ3, IPW030N10QJ3