时间：2025/8/6 13:52:52
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VKP60LT515是一款高压MOSFET功率晶体管，广泛用于电源管理和电力电子设备中。该器件采用先进的制造工艺，具有高效能、低导通电阻和高可靠性等特点。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：0.51Ω
最大功耗(Pd)：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
VKP60LT515具备低导通电阻，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。其高耐压能力使其适用于各种高电压应用场合。此外，该器件具有良好的热稳定性和过载保护功能，确保在恶劣工作环境下的可靠性。VKP60LT515还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。该器件采用TO-220封装，便于安装和散热，适用于多种工业和消费类电子设备。
在制造工艺方面，VKP60LT515采用了先进的沟槽栅极技术，提升了器件的导通性能和耐压能力。同时，该器件内部集成了保护二极管，进一步增强了其在复杂电路中的适用性。
VKP60LT515常用于开关电源、电机驱动、照明控制系统、工业自动化设备以及消费类电子产品中的功率控制电路。
VKP60LT515可替代的型号包括IRF840、FQP12N60C、STP12NM60ND等。
