时间：2025/8/2 4:47:11
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MTB9D0P03Q8 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的 N 沟道功率 MOSFET，具有低导通电阻和高功率密度的特点。该器件适用于需要高效率和紧凑设计的功率管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动电路。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流：10A
最大漏极-源极电压：30V
导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ @ Vgs=10V
栅极电压范围：-20V 至 +20V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
MTB9D0P03Q8 具备多个高性能特性，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs=10V 时仅为 8.5mΩ，这有助于降低导通损耗并提高整体效率。其次，该 MOSFET 的最大漏极电流为 10A，能够在中高功率应用中提供稳定的性能。
此外，MTB9D0P03Q8 的最大漏极-源极电压为 30V，适合多种电源管理场景。其栅极电压范围宽，为 -20V 至 +20V，确保了器件在不同工作条件下的稳定性。
MTB9D0P03Q8 主要用于需要高效能功率开关的场合。典型应用包括 DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、电机驱动电路以及各类电源管理模块。其低导通电阻和高电流能力使其在电源转换效率要求较高的场景中表现优异。
STM809D, STN809D, MTB9D0P03Q8R
