时间：2025/7/29 18:28:00
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MTB60N05HDT4是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高电流和高频率开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于各种电源管理和功率转换应用。
类型：N沟道
最大漏极电流：60A
最大漏源电压：50V
导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ
栅极电荷：73nC
功耗：150W
工作温度范围：-55°C至175°C
MTB60N05HDT4的主要特性包括低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率；高电流承载能力，使其适合高功率密度的设计；优化的封装设计，提供良好的散热性能；广泛的工作温度范围，确保在极端环境下的稳定运行；该器件符合RoHS标准，适用于环保型电子产品设计。
该MOSFET采用先进的沟槽式技术，提升了开关性能和耐用性，适用于频繁开关操作的环境。此外，其快速开关特性减少了开关损耗，提高了整体系统效率，非常适合用于高频率开关应用。器件的栅极驱动电压范围较宽，允许使用常见的驱动电路进行控制，简化了设计过程。
MTB60N05HDT4广泛应用于多种电力电子系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电动工具、电机控制、工业自动化设备以及电源供应器。此外，它还可用于汽车电子系统、新能源逆变器以及不间断电源（UPS）等高要求的应用场景。
IRF1405, IPW60R008S, FDP6030L
