ILX516K 时间：2025/8/18 21:59:58 阅读：22

ILX516K 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效率和高性能的电源管理应用。这款晶体管具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于诸如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及电源管理系统等应用。ILX516K 的封装形式为 TO-252（也称为 DPAK），这种封装方式在散热性能和安装便利性之间提供了良好的平衡。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：5.6A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.195Ω @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：37.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-252 (DPAK)

特性

ILX516K 具备多项优异的电气特性和设计优势。首先，其较低的导通电阻（Rds(on)）能够显著减少导通状态下的功率损耗，从而提高系统整体效率。此外，ILX516K 支持高达 5.6A 的连续漏极电流，并且在 60V 的漏源电压下运行，这使其能够适应多种中高功率应用需求。
　　这款 MOSFET 还具备快速开关特性，适合用于高频操作，进一步减小外围元件的尺寸并提升系统的响应速度。由于采用了先进的沟槽技术，ILX516K 在导通电阻与栅极电荷（Qg）之间实现了良好的平衡，这在高频率的开关应用中尤为重要。
　　ILX516K 的 TO-252 封装不仅提供了良好的热性能，还简化了在 PCB 上的安装过程。该封装具有较大的散热片区域，能够有效地将热量传导至电路板，从而减少对外部散热器的需求。此外，这种封装方式支持表面贴装技术（SMT），提高了生产效率和产品可靠性。
　　器件还具备良好的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过压条件下提供一定程度的保护。同时，其栅极驱动电压范围宽泛（支持 4.5V 至 20V），兼容多种驱动电路设计，包括使用 5V 微控制器或专用驱动 IC 的情况。

应用

ILX516K 常见于多种电源管理和功率控制应用中。例如，在 DC-DC 转换器中，它可用作主开关器件，以实现高效的电压转换。在负载开关应用中，ILX516K 可用于控制电源到不同子系统的分配，例如便携式电子设备中的电池供电管理。
　　此外，它还可以用于电机驱动电路中，作为 H 桥结构的一部分，实现对直流电机的速度和方向控制。在 LED 照明系统中，ILX516K 可用于调光控制或作为电流调节开关。
　　由于其良好的开关特性和热性能，ILX516K 也常用于电源适配器、电池充电器、不间断电源（UPS）、电源管理系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。