时间：2025/7/29 18:29:00
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MTB5D8C03RDH8 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET，主要用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高功率处理能力，适用于 DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动器以及各种需要高电流开关的应用场景。MTB5D8C03RDH8 采用 TSSOP（薄型小外形封装），适用于高密度 PCB 设计。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：8A
导通电阻（Rds(on)）：最大 3.9mΩ @ Vgs = 10V
功率耗散（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSSOP
MTB5D8C03RDH8 MOSFET 的核心优势在于其低导通电阻和高电流承载能力，这使得器件在开关过程中能够减少能量损耗，提高整体系统效率。其 30V 的漏源电压额定值使其适用于多种中低压功率转换应用，如同步整流、负载开关和电源管理模块。此外，该器件采用了 ROHM 的先进沟槽栅极技术，提升了导通性能并降低了开关损耗。
该 MOSFET 还具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定运行。TSSOP 封装不仅体积小巧，适合高密度电路板设计，而且具备良好的散热性能，有助于降低工作温度并延长器件寿命。MTB5D8C03RDH8 还具备较高的抗静电能力（ESD）和较强的抗浪涌电流能力，使其在复杂电磁环境下仍能保持稳定工作。
此外，该器件符合 RoHS 环保标准，不含有害物质，适用于对环保要求较高的工业和消费类电子产品。
MTB5D8C03RDH8 主要应用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统中。例如，在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可用于同步整流或高频开关，显著降低导通损耗并提升转换效率。在电池管理系统中，它可以作为高侧或低侧开关，实现对电池充放电的精确控制。此外，该器件也适用于电机驱动器、电源管理 IC（PMIC）外围电路、LED 驱动电路以及各种负载开关应用场景。由于其良好的热性能和高集成度，MTB5D8C03RDH8 也广泛用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备的电源管理模块。
SiSS16DN, TPC8104, FDS6680, IPB013N03LG
