时间：2025/12/26 22:17:01
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MTB180N06KSN3是一款由英飞凌（Infineon）推出的高性能N沟道功率MOSFET，专为高效率电源转换应用而设计。该器件采用先进的Trenchstop技术，具有极低的导通电阻和优异的开关特性，适用于多种工业、消费类及汽车级应用场景。其60V的漏源电压额定值使其能够胜任低压大电流工作条件下的高效能需求。封装形式为PG-HSOF-8，具备良好的热性能和紧凑的尺寸，适合高密度PCB布局。
这款MOSFET在同步整流、DC-DC变换器、电机驱动以及负载开关等电路中表现出色。由于其优化的栅极电荷和低反向恢复电荷，系统整体效率得以提升，同时降低了电磁干扰（EMI）。MTB180N06KSN3还具备高脉冲电流能力和出色的雪崩耐受能力，增强了系统的可靠性和鲁棒性。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101认证，适用于对可靠性要求较高的汽车电子系统。
型号：MTB180N06KSN3
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60 V
最大连续漏极电流（ID）：180 A
最大脉冲漏极电流（IDM）：540 A
最大栅源电压（VGS）：±20 V
导通电阻RDS(on)：1.8 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 90 A
导通电阻RDS(on)：2.2 mΩ @ VGS = 4.5 V, ID = 75 A
栅极电荷（QG）：85 nC @ VDS = 48 V, ID = 90 A
输入电容（Ciss）：7200 pF @ VDS = 30 V
反向恢复时间（trr）：25 ns
阈值电压（VGS(th)）：2.0 V ~ 3.0 V
工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +175 °C
封装：PG-HSOF-8
安装类型：表面贴装
MTB180N06KSN3采用了英飞凌领先的Trenchstop?沟槽栅技术，实现了超低导通电阻与优异开关性能之间的最佳平衡。这种结构显著降低了传导损耗和动态损耗，使器件在高频开关应用中仍能保持高效率。其典型RDS(on)仅为1.8mΩ，在大电流工况下有效减少发热，提高系统功率密度。该器件的栅极电荷Qg低至85nC，意味着驱动功耗更低，可配合低成本驱动器使用，适用于高频率工作的DC-DC转换器和同步整流拓扑。
该MOSFET具有非常出色的热稳定性，在高温环境下仍能维持稳定的电气性能。得益于PG-HSOF-8封装的优化散热设计，结到外壳的热阻（RthJC）极低，有助于快速将热量传导至PCB，从而延长器件寿命并提升系统可靠性。此外，其短路耐受时间为3μs（典型值），可在瞬态过载或故障条件下提供一定的保护能力。
MTB180N06KSN3具备优良的抗雪崩能力，能够在非钳位感性负载切换过程中承受高能量冲击而不损坏，这在电机控制和电源启动阶段尤为重要。其反向恢复电荷Qrr较小且一致性好，大幅降低体二极管在换流过程中的损耗和电压尖峰，有助于改善EMI表现。该器件还经过严格的AEC-Q101认证，确保在汽车级温度范围内的长期可靠性，适用于车载充电系统、电动助力转向等严苛环境应用。
总体而言，MTB180N06KSN3是一款集高性能、高可靠性和高集成度于一体的先进功率MOSFET，特别适合追求极致效率和紧凑设计的现代电源系统。其综合参数优于同类产品，在数据中心电源、服务器VRM、工业电源模块等领域具有广泛的应用前景。
用于高效率同步整流电源、大电流DC-DC转换器、服务器和通信电源系统、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、汽车电子负载开关、工业电机控制、光伏逆变器中的低边开关、热插拔控制器、高端和低端驱动应用等
BSC180N06NS5
