类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：105A
　　导通电阻(Rds(on))：3.0mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：PG-TDSON-8

MTB030N03N3具备多项卓越特性，首先其极低的导通电阻（3.0mΩ）显著降低了导通损耗，提高了系统效率，这在高电流应用中尤为重要。其次，该器件的高栅极电荷（Qg）优化设计使其在高频开关应用中表现出色，有效降低了开关损耗和温升。此外，MTB030N03N3采用了英飞凌的OptiMOS?技术，这种技术通过优化硅片结构，实现了更高的功率密度和更低的能量损耗。在封装方面，PG-TDSON-8封装不仅体积小巧，还提供了优异的热管理能力，确保在高负载条件下的稳定运行。MTB030N03N3还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，从而增强了系统的可靠性和安全性。此外，该器件符合RoHS标准，具备环保特性，适合现代电子设备对环保材料的要求。
　　MTB030N03N3的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至20V之间的栅极驱动，这使得其在不同的控制电路中都能稳定工作，无论是使用低压控制器还是标准驱动电路都可以兼容。同时，其较低的阈值电压（Vgs(th)）保证了器件能够在较低的控制电压下导通，提升了系统的灵活性。此外，该MOSFET具有快速的开关速度，降低了开关过程中的能量损耗，进一步提高了整体效率。由于其优异的性能表现，MTB030N03N3广泛应用于高性能电源转换器、电动工具、工业自动化设备和电池供电系统中。

MTB030N03N3适用于多种高功率密度和高效率要求的电子系统，包括但不限于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源管理单元（PMU）以及工业自动化和控制系统。其优异的导热性能和电气特性也使其适用于高电流输出的电源适配器、电信设备电源模块和LED照明驱动电路。

BSC030N03MS、BSC030N03NS、IPB030N03N3、NTB030N03N