MT53E256M32D2DS-053 是一款高性能的 3D NAND 闪存芯片,采用先进的制程工艺制造,提供大容量存储解决方案。该芯片具有高可靠性、低功耗和快速读写性能,适用于消费电子、工业设备及嵌入式系统等多种应用领域。
其主要功能是为用户提供高效的非易失性存储空间,能够保存数据并在断电后仍保持完整。通过优化的内部架构设计,这款芯片在数据传输速率和能耗表现上均达到行业领先水平。
容量:256Gb
存储类型:3D NAND Flash
接口:Toggle Mode 2.0
工作电压Vcc:1.8V ± 0.1V
工作温度:-40°C 至 +85°C
封装形式:BGA 169 球
数据保留时间:>10年(在25°C条件下)
擦写次数:3000次(典型值)
页面大小:16KB
区块大小:2MB
MT53E256M32D2DS-053 具备以下显著特点:
1. 高密度存储:单颗芯片即可实现大容量存储,适合需要高密度存储的应用场景。
2. 快速读写性能:采用 Toggle Mode 2.0 接口,支持高达 400MT/s 的数据传输速度。
3. 能耗优化:低功耗设计使其非常适合便携式和电池供电设备。
4. 高可靠性:具备强大的纠错能力(ECC),确保数据存储的安全性和完整性。
5. 广泛的工作温度范围:能够在 -40°C 至 +85°C 的环境下稳定运行,满足各种严苛环境需求。
6. 小型化封装:BGA 169 球封装使其占用较少的 PCB 面积,便于系统集成。
MT53E256M32D2DS-053 主要应用于以下领域:
1. 消费电子产品:如智能手机、平板电脑、数码相机等需要大容量存储的设备。
2. 工业控制:用于数据记录仪、监控系统等需要长时间稳定存储的工业设备。
3. 嵌入式系统:例如 POS 机、智能家居控制器等对存储性能和可靠性要求较高的场合。
4. 可穿戴设备:凭借低功耗特性,可广泛应用于智能手表、健康监测器等可穿戴产品。
5. 车载电子:支持车载信息娱乐系统、导航设备以及行车记录仪等应用。
MT53E256M32D2GS-053
MT53E256M32D2DS-113
MX30UF2G18AC
KLMAG8HTEA-B031