类型: NPN 双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）: 30V
　　最大集电极电流（IC）: 100mA
　　最大功耗（PD）: 300mW
　　增益带宽积（fT）: 250MHz
　　电流增益（hFE）: 110 - 800（根据等级不同）
　　封装类型: SOT-23

DFF20B6 晶体管具备优异的高频性能，适用于射频和中频放大电路。其高增益带宽积（fT）达到 250MHz，使得该器件在高频信号放大中表现良好。
　　此外，该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，通常在 110 到 800 之间，具体取决于器件的等级分类（如O档、Y档、GR档等），这使得它可以根据不同应用需求选择合适的增益版本。
　　低噪声系数也是 DFF20B6 的一大特点，特别适用于前置放大器和低噪声信号处理电路。其最大集电极-发射极电压为 30V，允许在较宽的电源电压范围内工作。
　　采用 SOT-23 小型封装，节省空间并适合表面贴装工艺，广泛用于便携式设备和小型化电路设计中。DFF20B6 的最大功耗为 300mW，在正常工作条件下具有良好的热稳定性。

DFF20B6 主要应用于射频（RF）和中频（IF）放大器电路，适合用于无线通信系统中的信号增强和处理。此外，它也广泛用于音频放大器的前置级，以提供低噪声信号放大。
　　在消费类电子产品中，如无线耳机、蓝牙模块、Wi-Fi 收发器等，DFF20B6 可用于提升信号质量和增强传输距离。
　　该晶体管也可作为高速开关使用，适用于数字电路中的电平转换和驱动电路。
　　工业控制和传感器信号调理电路中，DFF20B6 可用于放大微弱信号并提高系统的灵敏度。

BC847系列, 2N3904, 2N2222A, MMBT3904