类型：DDR SDRAM
　　密度：256 Mbit
　　组织结构：8M x 32
　　工作电压：2.5V ± 0.175V
　　时钟频率：133 MHz
　　数据速率：266 Mbps（DDR）
　　访问时间：最大 6 ns
　　封装类型：FBGA, 90-ball
　　引脚数：90
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　存储温度：-55°C 至 +125°C
　　湿度等级：MSL 3
　　带宽：1.06 GB/s（理论峰值）
　　刷新周期：64 ms / 8192 rows
　　突发长度：支持 4 和 8
　　电源电流：典型值 300mA（工作模式）
　　待机电流：典型值 50mA

MT48H8M32LFB5-6:H TR 具备多项关键特性，使其成为中端嵌入式系统中的理想内存解决方案。首先，该器件采用 DDR 技术，能够在时钟的上升沿和下降沿同时传输数据，显著提升了数据吞吐率，达到 266 Mbps 的数据速率，满足对实时性和带宽有一定要求的应用场景。其 2.5V 的核心电压在保证性能的同时兼顾了功耗控制，相较于早期的 3.3V SDRAM 更加节能，有助于延长便携式设备的电池寿命并降低系统散热需求。
　　该芯片具备 8M x 32 的组织结构，提供 32 位数据总线宽度，能够高效支持 32 位微处理器或 DSP 的内存访问需求，减少多次读写操作带来的延迟。其 90-ball FBGA 封装不仅节省空间，还提供了优良的信号完整性和热性能，适合高密度多层 PCB 设计。此外，该器件支持可编程突发长度（如突发4和突发8），允许系统根据实际应用优化内存访问效率，提升整体系统性能。
　　Micron 在该器件中集成了自动刷新、自刷新和低功耗待机模式等多种电源管理功能。自刷新模式允许 SDRAM 在不依赖外部控制器的情况下维持数据完整性，特别适用于系统休眠或待机状态，大幅降低功耗。其工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）确保了在恶劣环境下的可靠运行，适用于工业自动化、户外通信设备等严苛应用场景。
　　该 SDRAM 支持标准的命令接口，包括行/列地址选通、写使能、片选等，兼容主流内存控制器。其 6 ns 的快速访问时间减少了处理器等待内存响应的延迟，提高了系统响应速度。此外，器件符合 RoHS 环保标准，采用无铅封装，满足现代电子产品对环保和可持续发展的要求。Micron 提供全面的技术文档和支持，包括数据手册、应用笔记和参考设计，便于工程师快速完成系统集成和调试。

MT48H8M32LFB5-6:H TR 广泛应用于多种需要中等容量高速内存的电子系统中。在通信领域，它常见于路由器、交换机、DSL 调制解调器等网络设备中，用于缓存数据包、存储路由表和临时处理信息，其高带宽和低延迟特性有助于提升网络吞吐量和响应速度。在工业控制和自动化系统中，该芯片为 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和工业计算机提供可靠的运行内存，支持复杂逻辑运算和实时数据处理。
　　消费类电子产品也是其主要应用领域之一，例如数字机顶盒、DVD 播放器、智能电视和多媒体终端，利用其 32 位总线宽度和 DDR 性能来流畅播放高清视频和运行图形界面。打印机和多功能一体机使用该内存来存储打印作业、图像数据和固件运行空间，确保打印任务的快速响应和高效率处理。
　　此外，该器件也适用于医疗设备、测试测量仪器和汽车电子模块（如车载信息娱乐系统），这些应用对数据可靠性、温度适应性和长期供货稳定性有较高要求。由于其工业级温度范围和 Micron 的高质量制造工艺，MT48H8M32LFB5-6:H TR 能够在长时间运行中保持数据完整性，减少系统故障率。对于需要升级或替换现有 SDRAM 设计的项目，该芯片提供了良好的兼容性和性能提升路径。

MT48H8M32LF-6:B TR
　　IS42S16160D-6BLI