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MT47H64M16HR-187E:E 发布时间 时间:2025/9/1 18:04:27 查看 阅读:6

MT47H64M16HR-187E:E 是由 Micron(美光)公司生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛用于需要大容量存储和高速数据访问的应用场合。该芯片具有64MB的存储容量,支持16位数据总线宽度,并采用高性能的DDR2 SDRAM技术。该器件工作温度范围为工业级(-40°C至+85°C),适用于严苛环境下的应用。该芯片采用BGA封装形式,提供较高的集成度和稳定性。

参数

容量:64MB
  数据总线宽度:16位
  电压:1.8V
  封装类型:BGA
  工作温度:-40°C至+85°C
  型号:MT47H64M16HR-187E:E
  制造商:Micron
  技术:DDR2 SDRAM
  组织结构:x16

特性

MT47H64M16HR-187E:E 具备低功耗、高性能的特性,非常适合在嵌入式系统、工业控制设备以及通信设备中使用。其DDR2 SDRAM技术提供了较高的数据传输速率,支持快速的数据访问,适用于对性能要求较高的应用场景。此外,该芯片的宽温工作范围使其能够在各种恶劣环境下稳定运行。该芯片采用BGA封装,具有良好的电气性能和热性能,有助于提高系统的可靠性和稳定性。
  这款DRAM芯片的设计考虑到了现代电子设备对功耗和性能的双重需求,因此在数据处理效率和能源消耗之间实现了良好的平衡。它支持自动刷新和自刷新模式,能够在不频繁访问的情况下保持数据完整性,同时降低功耗。其高速数据访问能力使得它成为需要频繁读写数据的应用场景中的理想选择。

应用

MT47H64M16HR-187E:E 常用于工业自动化控制系统、嵌入式设备、网络设备、路由器、交换机、通信基站以及测试和测量设备等。其宽温工作范围和高可靠性使其成为工业和通信领域中的重要存储元件。此外,该芯片也可用于医疗设备、安防系统、车载电子设备等对稳定性和耐久性要求较高的应用场合。由于其低功耗设计和高性能特性,该芯片也适用于便携式设备和需要长时间运行的嵌入式系统。

替代型号

MT48LC16M16A2B4-6A, K4T1G1646E

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