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MT41K64M16TW-107 发布时间 时间:2025/7/10 2:37:00 查看 阅读:11

MT41K64M16TW-107是Micron(美光)公司生产的一款DDR3 SDRAM存储芯片,采用先进的制程工艺制造。该芯片具有高带宽、低功耗的特点,广泛应用于计算机、服务器和其他需要高性能数据处理的电子设备中。
  这款DDR3内存芯片支持800Mbps至1600Mbps的数据传输速率,并且具备突发长度为8或4的功能,能够满足现代系统对高速数据存取的需求。

参数

容量:512Mb
  组织方式:64Mx16
  I/O宽度:16位
  核心电压:1.35V
  I/O电压:1.35V
  速度等级:1066Mbps
  封装形式:FBGA
  引脚数:96球
  工作温度:-40°C至+85°C
  数据宽度:16位

特性

MT41K64M16TW-107采用了DDR3技术标准,提供更高的数据吞吐量和更低的功耗。相比前代DDR2,其拥有更高的预取架构(8n bit预取),使得在相同频率下DDR3可以提供比DDR2更大的有效带宽。
  此外,它还具备一个自动刷新功能,能够在无需外部干预的情况下保持数据完整性。同时支持热插拔以及动态电源管理,可以根据实际需求调整工作状态以降低功耗。
  为了提升系统的稳定性和可靠性,该芯片内置了多种错误检测机制,例如On-Die Termination(ODT)技术和奇偶校验功能,确保信号质量。
  其封装使用无铅环保材料,符合RoHS规范要求。

应用

MT41K64M16TW-107主要应用于需要大容量快速存储的场合,如台式电脑、笔记本电脑、工作站和服务器等计算设备中的内存条模块。此外,它也适用于图形处理器(GPU)缓存、网络通信设备以及其他高性能嵌入式系统。
  由于其出色的性能表现和较低的能耗水平,在移动终端领域也有一定的应用前景,例如高端平板电脑和智能手机中的RAM组件部分。

替代型号

MT41J256M16TW-107IT, MT41K512M8TW-125, H5TC4G63AFR-PBA

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