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MT41K2G4SN-125:A 发布时间 时间:2025/10/21 14:29:41 查看 阅读:41

MT41K2G4SN-125:A是Micron(美光)公司生产的一款同步动态随机存取存储器(SDRAM)芯片,具体属于DDR3L类别。该器件广泛应用于需要高性能、低功耗内存支持的嵌入式系统、网络设备、工业控制、消费类电子产品以及计算机外围设备中。MT41K2G4SN-125:A采用FBGA封装,具有较小的物理尺寸和良好的电气性能,适合高密度PCB布局。这款芯片的容量为2Gb(256MB),组织结构为x4、x8或x16的内部配置,工作电压为1.35V,属于低电压版DDR3L(Double Data Rate 3 Low Voltage),相比标准1.5V DDR3可显著降低系统功耗,提高能效比。其工作温度范围通常为商用级0°C至+85°C,满足大多数常规应用环境需求。MT41K2G4SN-125:A中的‘-125’表示其最大访问时间为1.25ns,对应于800MHz时钟频率下的数据传输速率即1600Mbps(PC3-12800)。该器件支持自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新(TCSR)等先进电源管理功能,能够在待机或轻负载状态下大幅减少能耗。作为JEDEC标准兼容产品,MT41K2G4SN-125:A具备良好的互操作性和系统兼容性,常用于与FPGA、ASIC或嵌入式处理器搭配使用,提供高速缓存或主存支持。

参数

品牌:Micron
  型号:MT41K2G4SN-125:A
  存储类型:DDR3L SDRAM
  存储容量:2Gb
  引脚数:96
  封装类型:FBGA
  电源电压:1.35V ± 0.1V
  工作温度范围:0°C ~ +85°C
  最大数据速率:1600 Mbps
  访问时间:1.25ns
  组织结构:可配置为x4/x8/x16

特性

MT41K2G4SN-125:A具备多项先进的技术特性,使其在低功耗与高性能之间实现良好平衡。首先,该芯片采用1.35V低电压设计,属于DDR3L规范,相较于传统的1.5V DDR3内存,在相同工作条件下能够降低约15%~20%的功耗,特别适用于对能效要求较高的便携式设备或长时间运行的工业控制系统。其核心架构基于8 Bank设计,支持交错式页面访问和快速突发传输模式,有效提升了数据吞吐效率。每个Bank可以独立进行激活、读写和预充电操作,从而提高了内存调度的灵活性与响应速度。该器件支持多种刷新模式,包括自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh),其中自刷新模式下控制器可关闭外部时钟以进一步节能,而内存内部仍维持数据完整性。此外,还具备温度补偿自刷新(TCSR)功能,可根据芯片内部温度传感器反馈动态调整刷新周期,在高温环境下增加刷新频率以防数据丢失,低温时则减少刷新次数以节省电力,极大增强了系统稳定性与可靠性。
  MT41K2G4SN-125:A支持标准的DDR3命令集,包括激活、读、写、预充电、刷新、模式寄存器设置(MRS)等操作,所有命令通过地址/命令总线在时钟上升沿触发执行。它支持13位行地址和10位列地址,允许大容量寻址空间,并可通过模式寄存器灵活配置突发长度(BL=4或8)、突发类型(顺序或交错)、CAS延迟(CL=5,6,7,8,9可选)等关键参数,适应不同系统的性能需求。器件内部集成ZQ校准电路,支持通过外部参考电阻执行阻抗匹配校准(ODT和驱动强度调节),确保信号完整性,尤其在高频传输中减少反射和串扰。其96球FBGA封装具有紧凑尺寸(通常为9mm x 13mm或类似规格),符合现代高密度PCB设计趋势,同时提供优良的散热性能和电气连接稳定性。整体设计遵循RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于自动化贴片生产线。

应用

MT41K2G4SN-125:A因其低功耗、高可靠性和适中的带宽表现,被广泛应用于多个领域。在通信设备中,常用于路由器、交换机和基站模块中作为数据缓冲区或包处理缓存,配合FPGA或网络处理器实现高速数据转发。在工业自动化领域,该芯片常见于PLC控制器、HMI人机界面、工业PC和边缘计算网关中,用于运行实时操作系统或多任务应用程序的数据存储。消费类电子产品如智能电视、机顶盒、数字录像机(DVR)等也大量采用此类DDR3L颗粒,以满足多媒体解码过程中对连续数据流的需求。此外,在医疗设备、测试仪器和POS终端中,MT41K2G4SN-125:A提供了稳定可靠的内存解决方案,尤其是在需要长期不间断运行且环境温度变化较大的场景下表现出色。由于其兼容JEDEC标准,易于集成到基于ARM、Power Architecture或x86架构的嵌入式平台中,例如NXP QorIQ系列、Xilinx Zynq SoC、Intel Atom处理器平台等,常作为主存或协处理器的本地内存使用。对于需要成本优化但又不能牺牲性能的设计项目,MT41K2G4SN-125:A是一个理想选择。其成熟的供应链和技术支持体系也使得开发周期缩短,有助于产品快速上市。

替代型号

[
   "MT41K2G4ME-125:A",
   "MT41K2G4MC-125:A",
   "EM68A160TS-12H",
   "K4B2G1646E-BCK0"
  ]

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MT41K2G4SN-125:A参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量8Gb
  • 存储器组织2G x 4
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间13.5 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-TFBGA
  • 供应商器件封装78-FBGA(9x13.2)