IR3M02AN是一款由Infineon Technologies(英飞凌)生产的功率MOSFET驱动器集成电路,广泛用于工业电源、DC-DC转换器、电机控制、开关电源等高功率应用场景。该器件是一款高压、高速的驱动器,专为驱动N沟道MOSFET设计,具备高集成度、低延迟和良好的抗干扰能力。IR3M02AN采用先进的封装技术,具备良好的热管理和电气性能,能够在高温环境下稳定工作。
类型:MOSFET驱动器
封装类型:SOIC-8
最大电源电压:20V
最小电源电压:4.5V
最大输出电流:1.5A(典型值)
传播延迟:典型值为9ns
输入电压阈值:CMOS兼容
工作温度范围:-40°C至+150°C
驱动能力:高/低端驱动
最大工作频率:1MHz
输出电压摆幅:从VCC到GND
静态电流:典型值150μA
IR3M02AN是一款高压半桥MOSFET驱动器,具有出色的性能和可靠性。其核心功能是提供高驱动能力以快速开关功率MOSFET,从而减少开关损耗并提高系统效率。该器件内部集成有高端和低端驱动电路,并采用自举技术来实现高侧MOSFET的驱动。IR3M02AN支持宽输入电压范围(4.5V至20V),使其适用于多种电源系统设计。此外,该芯片具备低传播延迟(约9ns),确保精确的开关控制,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、同步整流器和电机驱动器。
IR3M02AN的输入信号兼容CMOS逻辑电平,简化了与控制器的接口设计。其输出具有高电流驱动能力(最高可达1.5A),可有效驱动大功率MOSFET,加快开关速度并降低开关损耗。该器件还内置欠压锁定(UVLO)功能,当电源电压低于设定阈值时自动关闭输出,以保护系统免受低电压条件的影响。
为了提高系统的稳定性和可靠性,IR3M02AN具备良好的抗噪声能力,能够有效防止由于高dv/dt引起的误触发。其采用的SOIC-8封装具有良好的热性能,能够在高负载条件下保持稳定运行。此外,该驱动器的静态电流非常低(典型值150μA),有助于降低待机功耗,提高整体能效。
IR3M02AN广泛应用于各类高功率电子设备中,如开关电源(SMPS)、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、同步整流器、工业自动化控制系统、LED照明驱动器以及电池充电器等。它特别适合需要高频开关和高效能转换的场合,例如在电动汽车(EV)充电系统、光伏逆变器、服务器电源和电信设备电源模块中均有广泛应用。
IR2001S, IR2110, LM5101B, UCC27211, IRS2001