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MT41K256M16HA-107:E 发布时间 时间:2025/5/8 0:12:58 查看 阅读:11

MT41K256M16HA-107:E 是由 Micron(美光)生产的一款 DDR3 SDRAM 芯片,主要用于高性能计算、服务器、网络设备以及其他需要高带宽内存的电子系统中。该芯片采用先进的制程工艺制造,具有低功耗和高数据传输速率的特点。
  DDR3 内存标准提供了更高的频率和更低的工作电压,使其成为许多现代应用的理想选择。

参数

容量:2Gb
  组织方式:256M x 16
  数据宽度:16位
  I/O 引脚数:84球 FBGA
  工作电压:1.35V
  速度等级:1066Mbps
  CAS 延迟:7
  封装类型:FBGA
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C

特性

MT41K256M16HA-107:E 提供了卓越的性能表现和稳定性,主要特性如下:
  1. 高速数据传输:支持高达 1066Mbps 的数据传输速率,确保高效的内存访问。
  2. 更低功耗:相比早期的 DDR 标准,DDR3 运行在 1.35V 的较低电压下,有效降低了功耗。
  3. 自动刷新和省电模式:内置自动刷新功能以及深度省电模式,有助于延长电池寿命并降低运行成本。
  4. 热稳定性强:能够在极端温度条件下稳定运行,适用于工业和汽车级应用。
  5. 数据完整性增强:通过内部均衡和 On-Die-Termination(ODT)技术,显著提升了信号完整性和抗干扰能力。

应用

这款 DDR3 SDRAM 主要应用于以下领域:
  1. 服务器与存储系统:提供大容量高速缓存支持。
  2. 网络通信设备:如路由器、交换机等对实时性要求较高的设备。
  3. 工业控制:用于复杂自动化系统中的数据处理。
  4. 医疗成像和测试测量仪器:满足这些设备对高带宽和低延迟的需求。
  5. 消费类电子产品:包括高端笔记本电脑和平板电脑。

替代型号

MT41K256M16JT-107:E, MT41K256M16HT-107:E

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MT41K256M16HA-107:E参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量4Gb
  • 存储器组织256M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-FBGA(9x14)