时间：2025/5/8 9:02:16
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BR24L16FJ-WE2 是一款由 Panasonic（松下）生产的铁电随机存取存储器（FeRAM），属于非易失性存储器系列。该芯片采用 FRAM 技术，具有高速写入、低功耗和高读/写耐久性的特点。其主要应用领域包括数据记录设备、工业控制、医疗设备以及需要频繁写入且断电后数据不能丢失的场景。
FRAM 技术结合了 RAM 和闪存的优点，能够提供快速的数据写入速度和几乎无限的读写周期，同时具备非易失性特性。
容量：256Kbit
工作电压：1.8V~3.6V
接口类型：I2C
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装形式：8-pin SOIC
页大小：32Bytes
最大时钟频率：400kHz
BR24L16FJ-WE2 的核心特点是基于铁电存储技术，使其在性能和可靠性方面表现出色。
1. 非易失性：即使在断电情况下，数据也能保持完整，无需额外的备份电源。
2. 超高读写耐久性：支持高达 10^12 次的读写周期，适用于高频写入的应用场景。
3. 低功耗：相比传统 EEPROM 和闪存，写入操作的功耗更低，适合电池供电设备。
4. 快速写入：无需写前擦除操作，数据可以立即写入存储单元。
5. 小封装尺寸：8 引脚 SOIC 封装节省了 PCB 空间，非常适合紧凑型设计。
这款芯片广泛应用于各种需要可靠非易失性存储的场合，具体包括：
1. 数据记录：如电力计量设备、环境监测仪器等需要频繁记录运行状态或测量数据的系统。
2. 工业自动化：用于保存配置参数或历史数据，确保系统在断电重启后能正常恢复。
3. 医疗设备：例如便携式健康监测装置，需要在断电时保护重要患者信息。
4. 消费电子：如家用电器中保存用户设置或运行日志。
5. 物联网设备：为 IoT 节点提供可靠的非易失性存储解决方案。
BR24H16FJ-WME2, BR24T16FJ-WTE2
