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MT40A1G16WBU-083E:B 发布时间 时间:2025/5/7 9:30:35 查看 阅读:6

MT40A1G16WBU-083E:B 是一款高性能的 DDR4 内存颗粒,专为台式机、笔记本电脑以及服务器等设备设计。该芯片具有低功耗和高带宽的特点,支持多通道数据传输,适用于需要高速数据处理的应用场景。

参数

类型:DDR4 SDRAM
  容量:1Gb (128Mb x 8)
  电压:1.2V
  速度:3200Mbps
  封装:BGA 78-ball
  工作温度:0°C 至 85°C
  数据宽度:x8

特性

MT40A1G16WBU-083E:B 是基于最新的 DDR4 技术开发的存储芯片,其主要特点包括:
  1. 高速数据传输:支持高达 3200Mbps 的数据传输速率,确保快速的数据交换。
  2. 低功耗设计:采用 1.2V 工作电压,有效降低能耗。
  3. 可靠性强:具备强大的 ECC(错误检查与纠正)功能,能够显著提高数据的完整性。
  4. 小型化封装:使用 BGA 78 球封装,节省空间并提高集成度。
  5. 广泛的工作温度范围:能够在 0°C 至 85°C 的环境下稳定运行,适合多种应用场景。
  6. 数据预取技术:通过 16n prefetch 架构进一步提升性能和效率。

应用

该芯片广泛应用于各种计算和存储设备中,例如:
  1. 桌面计算机和笔记本电脑中的内存条。
  2. 企业级服务器和工作站。
  3. 嵌入式系统和工业控制设备。
  4. 游戏主机和其他高性能需求的消费类电子产品。
  MT40A1G16WBU-083E:B 的高速度和低功耗使其成为现代电子设备的理想选择。

替代型号

MT40A1G16WBT-083E:B
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MT40A1G16WBU-083E:B参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR4
  • 存储容量16Gb
  • 存储器组织1G x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率1.2 GHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.14V ~ 1.26V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-FBGA(8x14)