时间：2025/6/16 10:18:21
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MT31X103K631EME 是一款高性能的 DRAM 内存芯片，广泛应用于服务器、工作站和高性能计算设备中。该系列芯片以高密度存储和低功耗为特点，支持 DDR4 接口协议。其主要功能是提供快速的数据存储与访问能力，确保系统在运行复杂任务时保持高效和稳定。
该芯片采用了先进的制程工艺，具备更高的带宽和更低的延迟特性，从而满足现代计算环境中对内存性能的严格要求。
类型：DRAM
接口：DDR4
容量：8Gb
电压：1.2V
速度：3200MT/s
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装形式：BGA
引脚数：78-ball
MT31X103K631EME 具备以下显著特性：
1. 高速数据传输：采用 DDR4 接口，支持高达 3200MT/s 的数据速率，确保高效的内存访问性能。
2. 超低功耗设计：工作电压仅为 1.2V，有效降低整体系统能耗。
3. 高可靠性：通过多种纠错机制和数据保护技术，保证数据存储的完整性。
4. 紧凑型封装：使用 BGA 封装，减少空间占用，适合高密度板设计。
5. 广泛的工作温度范围：支持从 -40°C 到 +85°C 的工业级温度范围，适应各种环境条件下的应用需求。
MT31X103K631EME 主要应用于以下领域：
1. 数据中心服务器：为多核处理器提供高速缓存和数据存储支持。
2. 工作站：满足图形处理、视频编辑等高性能计算需求。
3. 嵌入式系统：如网络设备、医疗设备及工业控制设备中的内存模块。
4. 高性能计算 (HPC)：支持科学计算、模拟仿真等复杂运算场景。
5. 人工智能与机器学习：为深度学习模型训练提供大容量、高速度的内存资源。
MT31X103K631DME, MT31X103K631FME
