时间：2025/6/30 18:21:45
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MT31N102J631CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于高频、高效能功率转换应用。该器件采用先进的封装工艺，能够实现更高的开关速度和更低的导通损耗，同时具备出色的热性能和可靠性。它广泛应用于快充适配器、无线充电设备以及工业电源等场景。
类型：增强型场效应晶体管 (E-Mode GaN HEMT)
最大漏源电压：650V
最大连续漏极电流：2A
栅极阈值电压：1.8V~3.6V
导通电阻：120mΩ（典型值，@ Vgs=6V）
反向传输电容：150pF
功耗：4W
工作温度范围：-40℃~+125℃
MT31N102J631CT 具有高开关频率和低导通电阻的特点，使其非常适合高频功率转换应用。
GaN 材料本身的高电子迁移率和高击穿场强赋予了该器件卓越的电气性能。
其封装设计优化了散热性能，确保在高温环境下仍能保持稳定的运行。
此外，该器件还具有快速恢复特性和低寄生电感，进一步提升了整体效率和可靠性。
由于采用了增强型结构，该器件在正常操作时需要正向栅极驱动电压才能开启，这有助于避免意外导通的风险。
该芯片主要应用于高效率、小体积的电力电子系统中，包括但不限于以下领域：
1. USB-PD 快速充电器
2. 开关电源（SMPS）
3. 无线充电发射端电路
4. LED 驱动电源
5. 消费类及工业类 AC/DC 转换器
6. 可再生能源逆变器中的辅助电源部分
MT31N102J621CT, MT31N102J641CT, EPC2020
