功率类型：SiC MOSFET + SiC SBD
　　 集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　 连续集电极电流（IC）：80A
　　 工作温度范围：-40°C ~ +175°C
　　 封装类型：双面散热封装
　　 导通电阻（RDS(on)）：160mΩ
　　 热阻（Rth）：0.35°C/W
　　 绝缘等级：符合UL标准的增强型绝缘

FP1S108JA1R600 功率模块采用了富士电机先进的SiC半导体技术，具有极低的开关损耗和导通损耗，使其在高频操作下依然保持高效率。模块的双面散热封装设计有助于提高散热效率，从而实现更高的功率密度和更小的散热器尺寸。此外，该模块具有出色的高温稳定性和可靠性，能够在恶劣的环境条件下长时间运行。
　　 模块内部集成了SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（SBD），减少了外部元件的数量，简化了电路设计并提高了整体系统的可靠性。FP1S108JA1R600 还具备优异的短路耐受能力和过流保护功能，能够有效防止因负载突变或故障引起的损坏，提高系统的安全性和稳定性。
　　 此外，该模块的设计符合RoHS标准，支持环保应用，并具有良好的可制造性和可维修性，适用于多种工业自动化和能源管理系统。

FP1S108JA1R600 主要应用于需要高效率、高频操作和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括工业逆变器、太阳能逆变器、电动车充电器、储能系统、UPS不间断电源以及各类电机驱动器。由于其优异的性能和可靠性，FP1S108JA1R600 也适用于对尺寸和重量要求较高的移动电源设备和电动汽车充电基础设施。
　　 在太阳能逆变器中，FP1S108JA1R600 能够显著提高能量转换效率，减少系统损耗，同时缩小逆变器体积，提高系统的整体能效比。在电动车充电器中，该模块支持更高的开关频率，降低了输出纹波和滤波器尺寸，提升了充电速度和稳定性。此外，在工业电机驱动和自动化设备中，FP1S108JA1R600 提供了更高的动态响应能力和更精确的控制性能。

FP1S108KH1R600, FP1S108JA1R200