您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W.9B7 JZ050

MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W.9B7 JZ050 发布时间 时间:2025/4/28 18:16:38 查看 阅读:18

MT29TZZZ7D7DKLAH-107 是一款由 Micron(镁光)生产的 NAND 闪存芯片,主要应用于大容量数据存储场景。该系列芯片采用先进的制造工艺,在性能和可靠性方面表现出色,适合消费电子、嵌入式系统以及工业应用中的数据存储需求。
  该型号属于 TLC(Triple-Level Cell)架构,每个存储单元可以保存 3 位数据,从而实现更高的存储密度。它支持高速接口,如 ONFI(Open NAND Flash Interface),以确保与主机设备的高效通信。

参数

容量:256GB
  接口类型:ONFI 4.0
  工作电压:1.8V
  封装形式:BGA
  页大小:16KB
  块大小:2MB
  通道数:8
  数据传输速率:400 MT/s

特性

MT29TZZZ7D7DKLAH-107 具备以下显著特性:
  1. 高密度存储:采用 TLC 技术,能够在较小的空间内提供大容量存储。
  2. 快速读写性能:支持高达 400 MT/s 的数据传输速率,适用于需要快速数据访问的应用场景。
  3. 可靠性高:通过内置 ECC(Error Correction Code)引擎和磨损均衡算法,延长了芯片的使用寿命。
  4. 低功耗设计:优化的工作电压和待机模式使其非常适合移动设备和电池供电的应用。
  5. 广泛兼容性:遵循 ONFI 4.0 标准,能够轻松集成到各种主控平台中。

应用

这款芯片广泛应用于以下领域:
  1. 固态硬盘(SSD):为消费级和企业级 SSD 提供核心存储组件。
  2. 智能手机和平板电脑:作为内部存储介质,满足用户对大容量存储的需求。
  3. 嵌入式系统:如网络路由器、工控设备等需要高性能存储解决方案的场合。
  4. 数码相机和摄像机:用于记录高质量的照片和视频数据。
  5. 物联网设备:为边缘计算设备提供可靠的数据存储能力。

替代型号

MT29F256G08EBAAA, Toshiba THGAM9L8D8BAI, Samsung K9WBGY8U1M

MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W.9B7 JZ050推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价