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MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR 发布时间 时间:2025/10/21 15:44:23 查看 阅读:9

MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR 是一款由 Micron Technology(美光科技)生产的 NAND 闪存器件,属于其宽泛的并行 NAND 产品线之一。该器件采用 LGA(Land Grid Array)封装,专为需要高密度、高性能和低功耗存储解决方案的嵌入式系统和移动设备设计。MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR 的容量为 8 Gb(1 GB),组织为 1 块 x 8 Gb,采用 32 nm 工艺制造,支持标准的 ONFI 2.3 接口协议,具备较高的读写速度和可靠的耐久性。该器件广泛应用于智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、固件存储以及工业控制设备等场景。其主要特点包括高效的坏块管理、强大的 ECC 支持、快速的页编程和块擦除时间,以及对温度变化的良好适应能力。此外,该型号后缀中的 'TR' 表示卷带包装,适用于自动化贴片生产,而 ':D' 则代表其符合特定的产品等级和可靠性标准。Micron 提供全面的技术支持文档,包括数据手册、应用笔记和参考设计,以帮助客户快速集成该器件到目标系统中。

参数

制造商:Micron Technology
  系列:MT29F
  存储容量:8 Gb (1 GB)
  存储器类型:NAND 闪存
  接口类型:并行 ONFI 2.3
  电压范围:2.7 V 至 3.6 V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:LGA
  引脚数:44
  工艺技术:32 nm
  组织结构:单平面架构,每页 2112 字节(2048 字节数据 + 64 字节备用区)
  页面数量:每块 64 页,共 4096 块
  访问时间:最大 25 ns CE# 延迟
  写入周期时间:典型值 200 μs(页编程)
  擦除周期时间:典型值 2 ms(块擦除)
  待机电流:最大 150 μA
  编程电流:典型值 10 mA
  读取电流:典型值 30 mA
  ECC 要求:建议使用外部或控制器内建 ECC 处理(如 4-bit 或更高)

特性

MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR 具备多项关键特性,使其在嵌入式存储应用中表现出色。首先,该器件基于成熟的 32 nm NAND 技术构建,提供良好的性能与成本平衡。其内部架构采用单平面设计,每页可存储 2112 字节数据(其中 2048 字节为主数据区,64 字节为备用区域),支持高效的数据存取操作。通过 ONFI 2.3 并行接口,该芯片能够实现高达 50 MB/s 的持续读取速率,满足大多数实时数据处理需求。
  其次,该器件具有出色的耐久性和数据保持能力。每个存储块支持至少 10,000 次编程/擦除周期,在正常使用条件下可确保长期稳定运行。同时,数据可在断电状态下可靠保存长达 10 年,适合用于固件存储和关键配置信息保存。为了提升数据完整性,器件内置了状态寄存器轮询机制和写保护功能,并建议配合主控芯片上的 ECC 引擎使用,以纠正可能出现的位错误。
  再者,该芯片支持多种低功耗模式,包括待机和深度睡眠模式,显著降低系统整体能耗,特别适用于电池供电设备。其 LGA 封装形式不仅节省空间,还具备良好的散热性能和机械稳定性,便于在紧凑型 PCB 设计中布局。此外,Micron 对该型号实施严格的品质控制流程,确保出厂前已完成老化测试和可靠性验证,提升了产品的批次一致性与现场可靠性。最后,该器件兼容主流嵌入式操作系统和文件系统(如 YAFFS、JFFS2 和 FTL 层),简化了软件开发流程。

应用

MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR 主要应用于对尺寸、功耗和可靠性有较高要求的嵌入式系统领域。在移动通信设备中,它常被用作智能手机或功能手机中的辅助存储单元,用于存放操作系统镜像、驱动程序或用户不可删除的应用数据。由于其具备较快的读取速度和稳定的写入性能,也广泛用于便携式多媒体播放器中作为固件和缓存存储介质。
  在工业自动化和控制领域,该器件适用于 PLC 控制器、人机界面(HMI)终端、条码扫描仪和远程数据采集设备,承担启动代码和配置参数的存储任务。其宽温工作范围(-40°C 至 +85°C)使其能够在恶劣环境条件下稳定运行,例如高温车间或低温仓储环境中。
  此外,在消费类电子产品如电子书阅读器、数码相框和智能玩具中,该 NAND 闪存可用于存储系统资源和静态内容。医疗设备制造商也将其用于便携式监护仪或诊断工具中,以确保存储数据的安全性和持久性。得益于其标准化接口和成熟的技术生态,该器件还可作为旧款并行 NAND 替代方案,用于产品升级或维护现有平台。

替代型号

MT29F8G08ABABA:W TR
  MT29F8G08ABDBAH4-WT:E
  K9F1G08U0D-SCB0

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MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术闪存 - NAND
  • 存储容量8Gb
  • 存储器组织1G x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳63-VFBGA
  • 供应商器件封装63-VFBGA(9x11)