时间：2025/10/22 14:37:04
阅读：7
MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D是Micron Technology（美光科技）生产的一款NAND型闪存芯片，属于其高密度、高性能的存储产品线。该器件采用先进的3D TLC NAND技术，提供大容量、高速读写以及高可靠性，广泛应用于需要持久化数据存储的嵌入式系统和消费类电子产品中。该型号为BGA封装，适用于空间受限但对性能有要求的应用场景。其命名规则符合美光的标准编码体系，其中包含密度、电压、接口类型、封装形式及速度等级等信息。MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D支持ONFI 4.0兼容接口，具备8-bit并行数据总线，工作电压为3.3V，适合工业级温度范围运行，具备较强的环境适应性。作为一款256Gb（32GB）容量的NAND Flash，它在固态存储模块、移动设备、网络设备和工业控制等领域具有广泛应用前景。
品牌：Micron Technology
类型：NAND Flash
容量：256 Gb (32 GB)
工艺技术：3D TLC NAND
封装类型：BGA
引脚数：100
接口标准：ONFI 4.0 兼容
数据总线宽度：8位
供电电压：3.3V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装尺寸：13.5mm x 11.5mm x 0.7mm
时序等级：6R
组织结构：每页4KB + 256B备用区，每块256页，共64K块
读取延迟：典型值约25μs
编程时间：典型值约600μs/页
擦除时间：典型值约3ms/块
耐久性：典型1K P/E周期（Program/Erase Cycles）
数据保持时间：10年（常温下）
MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D具备多项先进特性以满足现代高密度存储需求。
首先，该芯片采用美光成熟的3D TLC NAND架构，在保证成本效益的同时实现高存储密度。相比传统2D平面工艺，3D堆叠技术显著提升了单位面积内的存储容量，并改善了数据保持能力和耐久性。TLC（Triple-Level Cell）设计使得每个存储单元可存储3比特数据，进一步提高了容量效率，适用于对成本敏感但需要大容量存储的应用。
其次，该器件支持ONFI 4.0（Open NAND Flash Interface）标准，提供高达400 MT/s的接口速率，支持8位并行数据总线，能够实现高效的主机通信与数据吞吐。内置的硬件ECC（错误校验与纠正）机制可在不依赖外部控制器的情况下检测和修正多位错误，增强数据完整性。此外，支持动态坏块管理和冗余块分配功能，延长了器件使用寿命。
再者，该NAND Flash具备低功耗设计特点，包含多种电源管理模式如待机模式、睡眠模式等，有助于降低整体系统能耗，特别适用于电池供电或绿色节能设备。
最后，该芯片通过AEC-Q100等可靠性认证，具备出色的抗干扰能力与长期稳定性，能够在工业级温度范围内稳定运行，适用于严苛环境下的应用场合，例如车载电子、工业自动化控制系统等。其BGA封装形式也便于自动化贴装，提升生产效率与良率。
MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D广泛应用于多个需要高可靠性和大容量非易失性存储的领域。
在消费类电子产品中，它可用于智能手机、平板电脑、数字电视和机顶盒等设备中作为操作系统和用户数据的存储介质。由于其较高的读写速度和较大的存储容量，非常适合用于多媒体内容的缓存与本地保存。
在工业控制领域，该芯片被集成于PLC控制器、HMI人机界面、工业网关等设备中，用于存储固件程序、配置参数及运行日志，确保系统断电后数据不丢失。
在网络与通信设备方面，路由器、交换机、基站模块等利用该NAND Flash进行固件存储和临时数据缓冲，保障设备快速启动和稳定运行。
此外，在汽车电子系统中，该器件可用于车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）的数据记录模块，满足车规级环境下的长期可靠性要求。
同时，它也可用于固态硬盘（SSD）模组、USB 3.0闪存盘、监控摄像头的本地存储卡等嵌入式存储解决方案中，作为主存储芯片之一，提供经济高效的存储选择。
MT29F256G08CBABA2-IT:A
MT29F256G08CFABA2-IT:E
MT29F256G08CMCBBH5-R:B
