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2STR1230 发布时间 时间:2025/7/19 3:13:23 查看 阅读:1

2STR1230是一款由东芝(Toshiba)制造的双极型晶体管(NPN型),主要用于高频放大和开关应用。该晶体管采用了高频设计,适用于通信设备、射频电路、音频放大器以及其他需要高频性能的电子系统。2STR1230具有优良的增益带宽积,能够在高频条件下提供稳定的放大性能。

参数

晶体管类型:NPN型双极晶体管
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大集电极-发射极电压(VCE):50V
  最大基极电流(IB):30mA
  最大耗散功率(PD):150mW
  增益带宽积(fT):250MHz
  电流增益(hFE):110~800(根据不同等级)
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TO-92或SOT-23(根据制造商不同可能有所变化)

特性

2STR1230的主要特性包括高频响应、高电流增益和良好的稳定性。该晶体管的增益带宽积达到250MHz,使其适用于射频和中频放大器。此外,其电流增益(hFE)范围广泛,可根据应用需求选择不同等级的器件,从而优化电路性能。2STR1230还具有低噪声系数,适合用于前置放大器和其他低噪声应用。晶体管的封装设计紧凑,适用于高密度电路板布局。此外,该器件的可靠性较高,能够在较宽的温度范围内稳定工作,适用于工业和消费类电子产品。
  在应用方面,2STR1230常用于射频信号放大、音频前置放大、开关电路以及数字逻辑电路中的驱动元件。其高频特性也使其适用于无线通信系统中的中频放大模块。

应用

2STR1230广泛应用于射频和中频放大器、音频放大器、数字开关电路、传感器信号调理电路以及消费类电子设备中的信号处理模块。该晶体管特别适合用于便携式通信设备、无线接收器、小型音频放大器等对高频性能有要求的场合。

替代型号

2N3904, BC547, 2SC3355

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2STR1230参数

  • 其它有关文件2STR1230 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1.5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)850mV @ 200mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)180 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大500mW
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称497-5685-6