2STR1230是一款由东芝(Toshiba)制造的双极型晶体管(NPN型),主要用于高频放大和开关应用。该晶体管采用了高频设计,适用于通信设备、射频电路、音频放大器以及其他需要高频性能的电子系统。2STR1230具有优良的增益带宽积,能够在高频条件下提供稳定的放大性能。
晶体管类型:NPN型双极晶体管
最大集电极电流(IC):100mA
最大集电极-发射极电压(VCE):50V
最大基极电流(IB):30mA
最大耗散功率(PD):150mW
增益带宽积(fT):250MHz
电流增益(hFE):110~800(根据不同等级)
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:TO-92或SOT-23(根据制造商不同可能有所变化)
2STR1230的主要特性包括高频响应、高电流增益和良好的稳定性。该晶体管的增益带宽积达到250MHz,使其适用于射频和中频放大器。此外,其电流增益(hFE)范围广泛,可根据应用需求选择不同等级的器件,从而优化电路性能。2STR1230还具有低噪声系数,适合用于前置放大器和其他低噪声应用。晶体管的封装设计紧凑,适用于高密度电路板布局。此外,该器件的可靠性较高,能够在较宽的温度范围内稳定工作,适用于工业和消费类电子产品。
在应用方面,2STR1230常用于射频信号放大、音频前置放大、开关电路以及数字逻辑电路中的驱动元件。其高频特性也使其适用于无线通信系统中的中频放大模块。
2STR1230广泛应用于射频和中频放大器、音频放大器、数字开关电路、传感器信号调理电路以及消费类电子设备中的信号处理模块。该晶体管特别适合用于便携式通信设备、无线接收器、小型音频放大器等对高频性能有要求的场合。
2N3904, BC547, 2SC3355