类型：NAND Flash
　　容量：256 Gbit (32 GB)
　　组织结构：256Gb x8
　　工艺技术：浮栅NAND技术
　　工作电压：3.3V ±10%
　　接口类型：并行接口（符合ONFI 1.0标准）
　　封装形式：TSOP-48
　　读取延迟：典型值约50ns
　　编程时间：典型值约200μs/页
　　擦除时间：典型值约2ms/块
　　待机电流：≤15mA
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　输入/输出电平：CMOS兼容
　　页大小：2112字节（2048+64字节备用区）
　　块大小：64页/块，共137,625块
　　地址周期：5-cycle行列地址输入
　　支持命令集：标准NAND命令如读、写、擦除、随机读写等
　　ECC要求：外部控制器需支持每512字节至少8位ECC纠错能力

MT29F256G08CECBBH6-6R:B具备出色的性能与稳定性，适用于对数据持久性和存储密度要求较高的应用场景。其核心特性之一是采用了成熟的浮栅技术，保证了每个存储单元的数据保持能力可达10年以上，在未通电状态下依然能有效保存信息。该器件每页提供2112字节的有效空间，其中2048字节为主数据区，64字节为备用区域，可用于存放ECC校验码、逻辑地址映射表及其他元数据，极大地增强了系统的可维护性与容错能力。此外，器件内部划分为137,625个物理块，每个块包含64个页面，支持按块进行快速擦除操作，平均擦除时间为2ms，显著提升了整体写入效率。在读写速度方面，该芯片支持高达50ns的地址访问延迟，连续读取模式下可实现较高的吞吐率，满足实时性较强的嵌入式系统需求。
　　为了保障数据完整性，MT29F256G08CECBBH6-6R:B要求主机端具备强大的ECC纠错能力，推荐使用每512字节支持8位或更高强度的纠错算法，以便应对随着使用时间增长而可能出现的位翻转问题。同时，该器件具备良好的耐用性指标，典型情况下支持10万次编程/擦除周期，适用于频繁更新数据的应用环境。器件还支持多种低功耗模式，包括待机和深度掉电模式，有助于降低系统整体能耗，特别适合电池供电或绿色节能型设备。在可靠性方面，该芯片通过了严格的工业级测试标准，能够在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定运行，抗干扰能力强，具备较强的抗振动和湿度耐受能力，适用于严苛的工业现场或户外部署环境。此外，美光为其提供了完整的技术支持文档、参考设计指南及寿命监控工具，帮助开发者优化FTL（Flash Translation Layer）算法，延长使用寿命并提升系统响应速度。

MT29F256G08CECBBH6-6R:B广泛应用于各类需要大容量非易失性存储的嵌入式系统和工业设备中。常见用途包括工业自动化控制器中的程序与日志存储，网络通信设备如路由器、交换机中的固件备份与配置文件保存，以及POS终端、自助服务机等人机交互设备的数据记录功能。由于其具备较高的写入耐久性和较长的数据保持期，也常被用于车载电子系统，例如车载导航仪、行车记录仪和车载信息娱乐系统中，用以存储操作系统镜像、地图数据及用户行为日志。在医疗设备领域，该芯片可用于便携式监护仪或诊断仪器中，实现患者数据的安全持久化存储。此外，在智能电表、安防摄像头等物联网边缘节点设备中，MT29F256G08CECBBH6-6R:B凭借其高性价比和稳定的性能表现，成为主流的本地存储解决方案之一。对于需要兼容传统并行接口架构的老平台升级项目，该器件提供了无缝替换能力，避免了重新设计PCB和更换主控芯片的成本。配合专用的NAND管理固件，还可实现坏块管理、磨损均衡、垃圾回收等功能，进一步提升系统级可靠性。

MT29F256G08CBECBH6-6R:B
　　MT29F256G08CFEBBH6-6R:B
　　MT29F256G08CDABBH6-6R:B