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MT29F1G08ABADAH4:D 发布时间 时间:2025/4/28 15:37:56 查看 阅读:4

MT29F1G08ABADAH4 是一款由 Micron(美光)生产的 NAND 闪存芯片,采用先进的存储技术设计,提供高密度和高性能的存储解决方案。该芯片具有 1 Gb 的存储容量,支持高速数据传输,并广泛应用于消费电子、嵌入式系统和其他需要大容量存储的设备中。
  这款 NAND 闪存芯片采用标准的 TSOP 封装形式,具备较低的功耗和较高的可靠性,适合多种工作环境。

参数

容量:1 Gb
  接口类型:NAND Flash
  封装形式:TSOP
  工作电压:3.3V
  页大小:2 KB
  块大小:64 KB
  数据传输速率:最大 25 MB/s
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

MT29F1G08ABADAH4 提供了高可靠性和稳定性,适用于各种工业和消费级应用。其主要特性包括:
  - 高密度存储:单颗芯片提供 1 Gb 的存储容量。
  - 高性能:支持高达 25 MB/s 的数据传输速率,满足快速数据读写的需求。
  - 低功耗设计:在正常工作模式下具有较低的电流消耗,并且支持多种省电模式。
  - 耐用性:具备较长的擦写寿命和数据保持能力。
  - 广泛的工作温度范围:能够在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内稳定运行,适合多种环境条件下的应用。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  - 消费类电子产品:如数码相机、便携式媒体播放器等。
  - 嵌入式系统:用于存储操作系统、应用程序和用户数据。
  - 工业控制设备:为需要高可靠性存储的应用提供解决方案。
  - 网络通信设备:用于固件存储和日志记录等功能。
  - 物联网设备:支持小型化和低功耗的存储需求。

替代型号

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  MT29F1G08ABAEAH4
  MT29F1G08ABBDAH4

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MT29F1G08ABADAH4:D参数

  • 标准包装1,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器闪存
  • 存储器类型闪存 - NAND
  • 存储容量1G(128M x 8)
  • 速度-
  • 接口并联
  • 电源电压2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳63-VFBGA
  • 供应商设备封装63-VFBGA(9x11)
  • 包装散装