时间：2023/6/21 17:15:22
阅读：1934
MT25QL128ABA1ESE-0SIT是一款3V、多I/O串行NOR闪存，具有SPI兼容的串行总线接口、就地执行(XIP)功能、增强的写保护技术和扩展的地址访问。所有STR协议的时钟频率可以达到133MHz，所有DTR协议的时钟频率可以达到90MHz，双/四I/O指令将吞吐量提高到90MB/s。此版本具有128Mb(16MB)的密度，并作为单个芯片堆叠。配置选项包括易失性和非易失性存储器，以及主存储器之外的专用64字节OTP部分，可访问且用户可锁定。它支持批量擦除、64KB统一粒度的扇区擦除以及4KB和32KB粒度的子扇区擦除。
| 型号 | MT25QL128ABA1ESE-0SIT |
| 制造商 | 美光科技公司 |
| 分类 | 集成电路(IC),记忆 |
| 描述 | IC FLASH 128MBIT SPI 133MHZ 8SO |
| 打包 | 块 |
| 工作温度 | -40°C~85°C(TA) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 包装/案例 | 8-SOIC(0.209英寸，5.30毫米宽) |
| 供应商设备包 | 8-SO |
| 基本产品编号 | MT25QL128 |
MT25QL128ABA1ESE-0SIT
| 产品状态 | 在售 |
| 内存类型 | 非挥发性 |
| 内存格式 | 闪光 |
| 技术 | 闪光灯-NOR |
| 内存大小 | 128Mb(16Mx8) |
| 内存接口 | SPI |
| 时钟频率 | 133兆赫 |
| 写周期时间-字、页 | 8毫秒、2.8毫秒 |
| 电压-电源 | 2.7V~3.6V |
| 密度 | 128MB |
| 最大电源电压 | 3.6V |
| 内存大小 | 16MB |
| 最小电源电压 | 2.7V |
| 数据格式 | V.34 |
| 界面 | 串行 |
| 电压-电源 | 3.3V~5V |
| 安装类型 | 印刷电路板 |
| 使用区域 | 欧洲、北美 |
 数据速率 | 33.6K |
| 工厂交货时间 | 6周 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 包装/案例 | 8-SOIC（0.209，5.30mm宽） |
| 表面贴装 | 是的 |
| 工作温度 | -40°C~85°CTA |
| 打包 | 块 |
| 湿度敏感度(MSL) | 3（168小时） |
| 终止次数 | 8 |
| ECCN代码 | 3A991.B.1.A |
| 高温超导码 | 8542.32.00.51 |
| 技术 | 闪光灯-NOR |
| 电压-电源 | 2.7V~3.6V |
| 终端位置 | 双重的 |
| 峰值回流温度(Cel) | 260 |
| 功能数量 | 1 |
| 电源电压 | 3V |
| 终端间距 | 1.27毫米 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max(s) | 30 |
| JESD-30代码 | S-PDSO-G8 |
| 最大电源电压 (Vsup) | 3.6V |
| 电源电压最小值 (Vsup) | 2.7V |
| 内存大小 | 128Mb16Mx8 |
| 内存类型 | 非挥发性 |
| 操作模式 | 同步 |
| 时钟频率 | 133MHz |
| 内存格式 | 闪光 |
| 内存接口 | SPI |
| 组织 | 128MX1 |
| 内存宽度 | 1 |
| 写周期时间- 字、页 | 8毫秒、2.8毫秒 |
| 内存密度 | 134217728位 |
| 并行/串行 | 串行 |
| 编程电压 | 3V |
| 坐高（最大） | 2.16mm |
| 长度 | 5.285毫米 |
| 宽度 | 5.285毫米 |
| 属性 | 描述 |
| RoHS状态 | 符合ROHS3标准 |
| 湿度敏感度(MSL) | 3（168小时） |
| REACH状态 | REACH不受影响 |
| ECCN | 3A991B1A |
玻璃钝化模具结构
低正向压降
高电流能力
高可靠性
高浪涌电流能力
印刷电路板的理想选择
MT25QL128ABA1ESE-0SIT符号
MT25QL128ABA1ESE-0SIT焊垫
MT25QL128ABA1ESE-0SIT 3D模型
MT25QL128ABA1ESE-0SIT封装
| 产品型号 | 制造商 | 品名 | 描述 |
| M25P80-VMW6G | 镁光 | Flash芯片 | 闪存,低电压,8Mbit,1Mx8位,75MHz,串行,SPI,WSOIC,8引脚 |
| M25P16-VMW6G | 镁光 | Flash芯片 | 闪存,16Mbit,2Mx8位,75MHz,串行,SPI,WSOIC,8引脚 |
