时间：2025/6/18 23:51:19
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MT21N470J101CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，适用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和极快的开关速度，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及各种电源管理场景。
MT21N470J101CT 的设计使其能够在高电流和高频工作条件下保持卓越的性能和可靠性，同时支持紧凑型封装以节省电路板空间。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：470V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：10A
导通电阻（Rds(on)）：0.8Ω
总功耗（Ptot）：36W
结温范围（Tj）：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-220AC
MT21N470J101CT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够减少功率损耗并提高整体效率。
2. 快速开关能力，有助于降低开关损耗并支持高频操作。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性和可靠性。
4. 高击穿电压（470V），确保其在高压应用中的稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 内置 ESD 保护功能，提升抗静电能力。
7. 支持表面贴装或通孔安装方式，便于多种应用场景的设计灵活性。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）及适配器。
2. 电机驱动与控制电路。
3. 工业自动化设备中的功率开关。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
5. LED 照明驱动器。
6. 电池管理系统（BMS）中的保护和切换功能。
7. 各种消费类电子产品的负载开关和保护电路。
IRF840, STP10NK50Z
