时间：2025/6/21 21:10:59
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MT21N101J101CT 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率器件系列。该型号通常用于开关电源、电机驱动、负载开关和其他需要高效功率控制的应用中。
这款 MOSFET 采用了先进的制造工艺，具备较低的导通电阻和较高的开关速度，能够显著提高系统的效率并减少发热。其封装形式为 TO-263 (D2PAK)，具有良好的散热性能和电气连接能力。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：8mΩ
总功耗：74W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-263
MT21N101J101CT 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提升整体系统效率。
2. 快速开关速度，减少了开关过程中的能量损失。
3. 高电流处理能力，适合大功率应用环境。
4. 宽广的工作温度范围，确保在极端条件下仍能可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 良好的热稳定性，即使在高负载情况下也能保持稳定性能。
该芯片广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换。
2. DC-DC 转换器的同步整流。
3. 电机驱动电路中的开关元件。
4. 电池管理系统中的负载开关。
5. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 通信设备中的高效电源管理解决方案。
MT21N101J101G, IRFZ44N, FDP55N10
