MSM511000BL-60Z 是一款由 OKI(冲电气工业株式会社)生产的高性能静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用了先进的CMOS技术,具有高速读写能力、低功耗和高可靠性等特点,广泛应用于需要高速存储的工业控制、通信设备和嵌入式系统中。MSM511000BL-60Z 的封装形式为52引脚塑料封装(PLCC),便于在各种电子设备中安装和使用。
容量:1 Mbit(128K x 8)
访问时间:60 ns
电源电压:5V
封装类型:PLCC
引脚数:52
工作温度范围:0°C 至 70°C
输入/输出接口:TTL 兼容
最大功耗:450 mW
读取电流:90 mA(典型值)
待机电流:10 mA
MSM511000BL-60Z 是一款高性能的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,具有出色的读写速度和稳定性。其主要特性包括高速访问时间、低功耗设计、宽工作温度范围以及TTL兼容接口等。
首先,该芯片的访问时间为60纳秒,能够在高速数据处理应用中提供快速的存储访问能力,确保系统运行的流畅性。此外,MSM511000BL-60Z 采用了先进的CMOS工艺,具有较低的功耗,特别适合需要长时间运行的嵌入式设备和便携式电子产品。
其次,该芯片支持TTL兼容输入/输出接口,能够方便地与多种微处理器和控制器进行连接,简化了电路设计和集成。其52引脚PLCC封装形式不仅提高了安装的灵活性,还增强了芯片的耐用性和稳定性,适用于多种工业环境。
MSM511000BL-60Z 的工作温度范围为0°C 至 70°C,能够在常规工业环境下稳定运行,满足大多数工业控制和通信设备的需求。其最大功耗为450毫瓦,典型读取电流为90毫安,待机电流仅为10毫安,进一步提升了其在低功耗应用中的适用性。
此外,该芯片的高可靠性设计使其在长期使用过程中表现出色,能够有效防止数据丢失或损坏,确保系统的稳定性和安全性。其广泛应用于需要高速存储解决方案的领域,如网络设备、工业控制系统、通信模块和嵌入式系统等。
MSM511000BL-60Z 广泛应用于需要高速数据存储的各类电子设备中,包括但不限于工业控制系统、通信设备、网络路由器、嵌入式系统和测试测量仪器等。其高速读写能力和低功耗特性使其在嵌入式处理器系统中作为高速缓存或临时数据存储单元非常适用。此外,该芯片也常用于需要可靠数据存储的工业自动化设备和智能仪表中,确保系统在高速运行时的数据完整性与稳定性。
CY62148EVLL-60ZE、IS61LV1024-60BLL、HM62V1000-60T