MT21B104K500CT 是一款由 Micron(美光)生产的 DDR3L SDRAM 芯片。该芯片属于低功耗系列,主要应用于对功耗要求严格的场景,如移动设备、嵌入式系统和便携式电子设备。
DDR3L(Low Voltage)内存的工作电压为 1.35V,相比标准的 DDR3 内存(1.5V),能够有效降低功耗并延长电池寿命。此外,这款芯片具有高带宽和低延迟的特性,适合需要高性能内存的应用环境。
容量:4Gb
组织结构:512M x 8
工作电压:1.35V
数据速率:800/1066/1333/1600 MT/s
封装形式:FBGA 78-ball
I/O 标准:LVDS
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
引脚间距:1.0mm
MT21B104K500CT 的主要特性包括:
1. 高性能:支持高达 1600 MT/s 的数据传输速率,适用于需要快速数据处理的应用。
2. 低功耗:采用 1.35V 工作电压,显著降低了功耗,非常适合移动设备。
3. 小型化设计:使用 FBGA 封装,尺寸紧凑,有助于节省 PCB 空间。
4. 宽温范围:能够在 -40°C 至 +85°C 的环境下稳定工作,适应多种应用场景。
5. 可靠性:Micron 提供了严格的质量控制流程,确保芯片在各种条件下的可靠性。
这款芯片广泛应用于以下领域:
1. 智能手机和平板电脑等移动设备。
2. 嵌入式系统,如工业控制器、医疗设备和网络设备。
3. 物联网(IoT)设备,用于数据采集和处理。
4. 便携式消费电子产品,如数码相机和可穿戴设备。
其低功耗特性和高带宽使其成为需要高性能和长续航时间设备的理想选择。
MT21B104K500D, MT21B104K500DT