MT21B103K251CT 是一款由 Micron Technology(美光科技)生产的 DDR3L SDRAM 芯片,主要用于低功耗应用。该芯片采用先进的制造工艺,具有高带宽、低功耗和高可靠性的特点,适用于移动设备、嵌入式系统以及需要高效能计算的场合。
DDR3L 是 DDR3 的低电压版本,工作电压为 1.35V,相较于标准的 DDR3(1.5V),能够显著降低功耗,同时保持与 DDR3 相同的性能水平。
容量:4Gb
组织方式:512M x 8
数据宽度:x8
核心电压:1.35V
I/O 电压:1.35V
速度等级:1600Mbps
封装类型:FBGA
引脚数:78-ball
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
数据总线宽度:8位
MT21B103K251CT 使用了 Micron 的先进制程技术,具备以下主要特性:
1. 支持 DDR3L 标准,兼容 JEDEC 规范。
2. 提供高达 1600Mbps 的数据传输速率,确保高效的内存访问。
3. 工作电压为 1.35V,适合对功耗敏感的应用场景。
4. 内置 DLL(延迟锁相环),支持精确的时钟校准。
5. 具备 ODT(板载终端阻抗)功能,优化信号完整性。
6. 支持 CAS Latency (CL) 为 11,提供平衡的延迟和性能表现。
7. 高可靠性设计,能够在工业级温度范围内稳定运行。
8. 小型 FBGA 封装,适合紧凑型设计需求。
这款芯片广泛应用于需要低功耗和高性能内存的领域,包括:
1. 智能手机和平板电脑等移动设备。
2. 嵌入式系统,如工业控制、医疗设备和网络通信设备。
3. 笔记本电脑和其他便携式计算设备。
4. 物联网(IoT)设备,特别是那些对实时性和数据处理能力要求较高的应用。
5. 数字电视、机顶盒以及其他消费类电子产品。
由于其低功耗和高性能的特性,MT21B103K251CT 成为了众多现代电子设备的理想选择。
MT41K128M16JT-125, MT41J128M16XX-125, K4B2G164QF-MCK0