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GA1206A331KBCBR31G 发布时间 时间:2025/5/30 14:51:47 查看 阅读:12

GA1206A331KBCBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率开关电源和电机驱动应用而设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能。其封装形式和电气特性使其非常适合用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。

参数

型号:GA1206A331KBCBR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):33A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ (典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):180W
  结温范围(Tj):-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-247-3

特性

GA1206A331KBCBR31G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有效降低传导损耗。
  2. 快速的开关速度,有助于提高系统效率并减少电磁干扰(EMI)。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
  4. 内置防静电保护功能,提高了产品的可靠性。  6. 优秀的热性能,支持高功率密度的应用场景。
  这些特点使得该器件能够胜任各种复杂和高负载的工作环境。

应用

GA1206A331KBCBR31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),包括适配器、充电器等。
  2. 电机驱动,如直流无刷电机、步进电机等。
  3. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  4. 汽车电子中的DC-DC转换器及电池管理系统。
  5. 照明驱动电路,例如LED路灯或高亮度照明。
  由于其强大的电流处理能力和较低的功耗,这款MOSFET非常适合需要高效能和可靠性的场合。

替代型号

GA1206A331KBCBR28G, IRFZ44N, FDP5500

GA1206A331KBCBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容330 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-