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MT18N6R0D500CT 发布时间 时间:2025/6/3 11:03:29 查看 阅读:5

MT18N6R0D500CT是一款基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),适用于高频和高效率功率转换应用。该器件采用先进的封装设计,能够提供卓越的开关性能和热管理能力。
  该型号专为高频率、高效率的应用场景设计,如DC-DC转换器、无线充电设备以及电信电源等。其核心优势在于低导通电阻和快速开关特性,能够在高频工作条件下显著减少损耗。

参数

类型:增强型场效应晶体管 (E-FET)
  材料:氮化镓 (GaN)
  额定电压:650V
  额定电流:20A
  导通电阻:45mΩ
  最大栅极电压:+6V/-4V
  开关频率:支持高达5MHz
  封装形式:TO-247-3L

特性

MT18N6R0D500CT具有以下关键特性:
  1. 高效的开关性能,适合高频功率转换应用。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低传导损耗。
  3. 快速开关速度,有助于减少开关损耗并提高系统效率。
  4. 良好的热性能设计,确保在高功率应用中的稳定运行。
  5. 支持宽范围的工作温度(-55°C至+150°C),适应各种恶劣环境。
  6. 采用增强型氮化镓技术,具备更高的可靠性和耐用性。
  这些特点使得MT18N6R0D500CT成为高效率、高性能功率转换系统的理想选择。

应用

这款氮化镓晶体管广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。
  2. 通信基站电源模块。
  3. 工业电机驱动和伺服控制系统。
  4. 汽车电子及车载充电器(OBC)。
  5. 数据中心服务器电源。
  6. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换设备。
  由于其出色的高频特性和低损耗,MT18N6R0D500CT特别适合需要高效率和小尺寸设计的功率转换解决方案。

替代型号

MT18N6R0D500FT, MT19N6R0D500CT

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MT18N6R0D500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.07018卷带(TR)
  • 系列MT
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容6 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-