时间：2025/6/3 11:03:29
阅读：19
MT18N6R0D500CT是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于高频和高效率功率转换应用。该器件采用先进的封装设计，能够提供卓越的开关性能和热管理能力。
该型号专为高频率、高效率的应用场景设计，如DC-DC转换器、无线充电设备以及电信电源等。其核心优势在于低导通电阻和快速开关特性，能够在高频工作条件下显著减少损耗。
类型：增强型场效应晶体管 (E-FET)
材料：氮化镓 (GaN)
额定电压：650V
额定电流：20A
导通电阻：45mΩ
最大栅极电压：+6V/-4V
开关频率：支持高达5MHz
封装形式：TO-247-3L
MT18N6R0D500CT具有以下关键特性：
1. 高效的开关性能，适合高频功率转换应用。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗。
3. 快速开关速度，有助于减少开关损耗并提高系统效率。
4. 良好的热性能设计，确保在高功率应用中的稳定运行。
5. 支持宽范围的工作温度（-55°C至+150°C），适应各种恶劣环境。
6. 采用增强型氮化镓技术，具备更高的可靠性和耐用性。
这些特点使得MT18N6R0D500CT成为高效率、高性能功率转换系统的理想选择。
这款氮化镓晶体管广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。
2. 通信基站电源模块。
3. 工业电机驱动和伺服控制系统。
4. 汽车电子及车载充电器（OBC）。
5. 数据中心服务器电源。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换设备。
由于其出色的高频特性和低损耗，MT18N6R0D500CT特别适合需要高效率和小尺寸设计的功率转换解决方案。
MT18N6R0D500FT, MT19N6R0D500CT
