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GA1210Y564MXXAT31G 发布时间 时间:2025/6/6 18:34:55 查看 阅读:3

GA1210Y564MXXAT31G 是一款高性能的功率放大器芯片,主要用于无线通信领域。该芯片采用了先进的 GaN(氮化镓)工艺技术,具有高效率、高增益和宽带宽的特点,适用于多种射频应用场合。
  这款芯片设计用于工作在 L 波段至 S 波段的频率范围,能够满足基站、雷达以及卫星通信系统对功率和效率的要求。其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的应用环境。

参数

型号:GA1210Y564MXXAT31G
  工作频率范围:1.2GHz 至 3.5GHz
  输出功率:50W
  增益:15dB
  效率:65%
  供电电压:28V
  静态电流:2A
  封装形式:陶瓷密封
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

GA1210Y564MXXAT31G 芯片采用了最新的氮化镓技术,显著提升了功率密度和能效水平。与传统的 LDMOS 技术相比,该芯片能够在更高的频率下提供更大的输出功率,并且保持较高的线性度。
  此外,这款芯片内部集成了保护电路,包括过温保护和负载失配保护,从而增强了系统的可靠性和稳定性。
  其卓越的性能指标使得 GA1210Y564MXXAT31G 成为需要高效功率放大的应用的理想选择。例如,在现代通信基础设施中,它可以帮助实现更长的传输距离和更高的数据吞吐量。

应用

GA1210Y564MXXAT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 基站功率放大器
  2. 军用及民用雷达系统
  3. 卫星通信地面站设备
  4. 测试与测量仪器
  5. 点对点微波链路
  由于其出色的效率和功率输出能力,该芯片非常适合要求高可靠性、高性能的场景。

替代型号

GA1210Y564MXDAT31G
  GA1210Y564MXXBT31G

GA1210Y564MXXAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.56 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-