MT18N680J500CT是一款高性能的MOSFET功率晶体管,专为高频开关和高效率功率转换应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。其主要应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动等领域,能够显著提升系统的整体效率和可靠性。
该型号属于增强型N沟道MOSFET,支持大电流处理能力,同时具备良好的电气特性和耐用性。通过优化的封装设计,MT18N680J500CT能够在各种严苛的工作环境下保持稳定运行。
最大漏源电压:680V
连续漏极电流:50A
导通电阻:0.02Ω
栅极电荷:45nC
总电容:300pF
工作温度范围:-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻确保了高效的功率传输和更低的功耗。
2. 高额定电压使其适用于多种高压应用场景。
3. 快速开关能力减少开关损耗,从而提高系统效率。
4. 稳定的电气性能在宽温度范围内保持一致性。
5. 强大的抗浪涌能力和鲁棒性设计适合工业和汽车级应用。
6. 小型化封装有助于节省PCB空间并简化布局设计。
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 太阳能逆变器
5. 工业自动化设备
6. 汽车电子系统中的负载切换
7. 不间断电源(UPS)系统
8. LED驱动及各类功率转换应用