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BSZ0904NSI 发布时间 时间:2025/5/23 15:49:00 查看 阅读:7

BSZ0904NSI是一种基于硅材料的肖特基二极管,具有低正向电压降和快速开关特性。这种二极管广泛应用于高频、高效整流电路中,例如开关电源、逆变器以及DC-DC转换器等场景。其设计结合了高可靠性和卓越的电气性能,能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
  该器件采用了小型化的表面贴装封装技术(SOD-123FL),有助于节省PCB空间,并提高散热性能,适用于对尺寸和效率要求较高的电子产品。

参数

最大重复峰值反向电压:40V
  正向电流(IF):0.9A
  正向电压降(VF):0.55V(典型值,在IF=0.15A时)
  反向恢复时间(trr):6ns(最大值)
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  热阻(RthJC):110°C/W

特性

BSZ0904NSI的主要特点是低正向电压降和快速开关能力,这使其非常适合高频应用。此外,其高可靠性、低漏电流以及出色的热稳定性进一步增强了其在恶劣环境中的表现。
  由于采用了先进的制造工艺,这款肖特基二极管能够在高频条件下维持较低的功耗,并且具备优异的热管理性能。它的紧凑型SOD-123FL封装不仅提升了装配效率,还减少了寄生电感的影响,从而改善了整体电路性能。

应用

BSZ0904NSI被广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流
  2. DC-DC转换器中的续流二极管
  3. 电池充电器中的保护二极管
  4. 电机驱动电路中的箝位二极管
  5. 太阳能逆变器中的快速整流元件
  这些应用场景都充分利用了其低损耗和高速切换的优势。

替代型号

SS84E
  MBR0940ET
  B0904LS

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BSZ0904NSI参数

  • 数据列表BSZ0904NSI
  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C40A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1100pF @ 15V
  • 功率 - 最大37W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-TDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSZ0904NSITRSP000854390