时间：2025/7/10 15:07:31
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MT18N152J500CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT）。它具有出色的开关性能和高频特性，适用于高效率电源转换应用。该器件采用增强型设计，确保在栅极电压为正时导通。其封装形式为表面贴装型，适合自动化生产。此外，MT18N152J500CT 的耐压能力、低导通电阻以及快速开关速度使其成为下一代高效能电力电子系统的理想选择。
该型号属于大功率应用领域中的重要元器件，特别针对高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器进行了优化。
类型：增强型 HEMT
材料：氮化镓（GaN）
最大漏源电压（Vds）：650 V
连续漏极电流（Id）：50 A
导通电阻（Rds(on)）：15 mΩ
栅极电荷（Qg）：90 nC
反向恢复时间（trr）：无（因 GaN 技术无反向恢复问题）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：CT 封装
MT18N152J500CT 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关性能，支持更高的开关频率，从而减少磁性元件体积和系统成本。
3. 增强型结构，仅在正栅极驱动下导通，确保使用安全。
4. 支持高达 650V 的漏源电压，适用于多种高压场景。
5. 集成了 GaN 技术的优势，如零反向恢复时间，从而进一步提升效率。
6. 宽温工作范围，适应极端环境条件下的应用需求。
这些特性共同使得 MT18N152J500CT 在高效率、高频电源转换中表现出色。
MT18N152J500CT 主要应用于以下领域：
1. 工业级电源模块，包括不间断电源（UPS）、服务器电源等。
2. 太阳能逆变器，用于光伏能源系统的高效能量转换。
3. 电动汽车充电基础设施，例如直流快充桩。
4. 高频 DC-DC 转换器，广泛用于通信设备和数据中心。
5. 电机驱动器和其他需要高效功率管理的工业控制场景。
由于其卓越的性能，该器件非常适合要求高性能、高效率和紧凑设计的应用场景。
MT18N152J400CT, MT18N100J500CT
