LHMS20T7 时间：2025/8/27 22:36:12 阅读：21

LHMS20T7 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效能、低导通电阻和快速开关特性的场合。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具备优异的热稳定性和可靠性。LHMS20T7 通常用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等应用中。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：18A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.085Ω（最大值）
　　功耗（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220

特性

LHMS20T7 MOSFET 的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。其高耐压能力（200V）使其适用于中高功率应用。此外，该器件具有快速开关特性，适用于高频开关操作，有助于减小外部滤波元件的尺寸。LHMS20T7 采用先进的沟槽技术，提供良好的热管理和稳定性，能够在高温环境下稳定工作。
　　该器件还具有良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行，提升系统的可靠性。此外，其栅极驱动特性较为温和，适用于常见的栅极驱动电路，无需复杂的驱动设计。LHMS20T7 还具有较高的短路耐受能力，可在异常情况下提供额外的安全保障。

应用

LHMS20T7 常见于各种功率电子系统中，包括工业电源、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、逆变器以及负载开关电路。其高效率和高可靠性也使其适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电动车电池管理系统等。此外，LHMS20T7 也可用于电信设备和服务器电源模块，以提高电源转换效率并降低功耗。