LHMS20T7 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高效能、低导通电阻和快速开关特性的场合。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具备优异的热稳定性和可靠性。LHMS20T7 通常用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等应用中。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):200V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):18A
导通电阻(Rds(on)):0.085Ω(最大值)
功耗(Ptot):125W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-220
LHMS20T7 MOSFET 的主要特性包括低导通电阻(Rds(on)),这有助于减少导通损耗并提高系统效率。其高耐压能力(200V)使其适用于中高功率应用。此外,该器件具有快速开关特性,适用于高频开关操作,有助于减小外部滤波元件的尺寸。LHMS20T7 采用先进的沟槽技术,提供良好的热管理和稳定性,能够在高温环境下稳定工作。
该器件还具有良好的雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行,提升系统的可靠性。此外,其栅极驱动特性较为温和,适用于常见的栅极驱动电路,无需复杂的驱动设计。LHMS20T7 还具有较高的短路耐受能力,可在异常情况下提供额外的安全保障。
LHMS20T7 常见于各种功率电子系统中,包括工业电源、DC-DC 转换器、UPS(不间断电源)、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、逆变器以及负载开关电路。其高效率和高可靠性也使其适用于汽车电子系统,如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和电动车电池管理系统等。此外,LHMS20T7 也可用于电信设备和服务器电源模块,以提高电源转换效率并降低功耗。
STP20NK20Z, IRF2807, FDP20NK20D, FQP20N20C