MT18N150F500CT 是一款 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换等电路中。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关特性,能够有效降低功耗并提升系统效率。
MT18N150F500CT 使用先进的制造工艺设计而成,适用于需要高可靠性和高效能的应用场景,其封装形式通常为 TO-247 或类似工业标准封装。
最大漏源电压:150V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:50A
导通电阻:3.5mΩ
总栅极电荷:95nC
反向恢复时间:40ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
1. 高耐压能力,额定电压为 150V,适合多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻(3.5mΩ),减少传导损耗,提高整体效率。
3. 快速开关性能,具备较低的栅极电荷和反向恢复时间,减少开关损耗。
4. 强大的电流承载能力,支持高达 50A 的连续漏极电流。
5. 广泛的工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),确保在极端环境下仍能正常运行。
6. 兼容性强,易于集成到各类功率电子系统中。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
2. 用于电机驱动电路,控制电机速度与方向。
3. 在 DC-DC 转换器中作为同步整流 MOSFET。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 太阳能逆变器及储能系统的功率管理单元。
6. 电动车和混合动力汽车的动力管理系统(BMS)。