类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：40V
　　最大漏极电流（Id）：240A
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.7mΩ（典型值）
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　栅极电荷（Qg）：约180nC
　　最大功率耗散：约300W

SKT240F04DT 的主要特性包括高电流承载能力和低导通电阻，这使得该器件在高功率应用中具有较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其TO-247封装形式具有良好的散热性能，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统。
　　该器件的栅极驱动特性较为稳定，能够支持快速的开关操作，适用于高频开关电源和逆变器应用。此外，SKT240F04DT 还具备较高的短路耐受能力，可以在瞬态过载情况下保持稳定运行。由于其优异的电气特性和机械结构，该MOSFET在电动汽车（EV）、不间断电源（UPS）以及工业电机驱动系统中得到了广泛应用。

SKT240F04DT 主要应用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统中。常见的应用包括直流-直流转换器（DC-DC Converter）、逆变器（Inverter）、电机驱动器（Motor Driver）以及电池管理系统（BMS）。此外，该器件还可用于工业自动化设备、电动工具、不间断电源系统（UPS）以及新能源发电系统（如太阳能逆变器）等。
　　在电动汽车领域，SKT240F04DT 可用于主驱逆变器或车载充电系统，以实现高效的能量转换。由于其优异的热稳定性和低导通损耗特性，该MOSFET在需要高可靠性的汽车电子系统中表现出色。

TK240E04D,Toshiba
　　SiHF240ED,Infineon
　　IRFP240,Infineon