时间：2025/6/6 12:57:39
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MT18N120F500CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率、高频开关功率器件，广泛应用于电源管理领域。该芯片采用了先进的封装技术和增强型 GaN FET 设计，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统能效并减少热量损失。
MT18N120F500CT 非常适合于需要高效能转换和高频操作的应用场景，例如 DC-DC 转换器、PFC（功率因数校正）电路以及充电器等。通过利用其出色的性能，设计工程师可以实现更紧凑的解决方案，并降低整体系统的成本与复杂性。
额定电压：650V
额定电流：120A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：7nC
反向恢复时间：<30ns
工作温度范围：-55℃ to +175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减小传导损耗，提升整体效率。
2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷，使得开关损耗大幅降低。
3. 采用氮化镓技术，支持高频运行，从而缩小无源元件尺寸，降低系统体积。
4. 高温稳定性，能够在极端条件下保持性能。
5. 紧凑型封装设计，节省 PCB 布局空间。
6. 具备优异的热性能，能够有效散热以延长使用寿命。
1. 工业级和消费类 AC-DC 适配器及充电器。
2. 数据中心和通信设备中的高密度电源模块。
3. 太阳能逆变器中的高频功率转换。
4. 电动汽车充电桩及相关能源管理系统。
5. 各种类型的 DC-DC 转换器，包括笔记本电脑快充头。
6. 功率因数校正（PFC）电路以及其他高效能电力电子应用。
MT18N100F500CT, MT18N150F500CT
